三星电子株式会社全秀昶获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利存储器装置和读取数据的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110931069B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910827364.X,技术领域涉及:G11C16/08;该发明授权存储器装置和读取数据的方法是由全秀昶;金承范;李知英设计研发完成,并于2019-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置和读取数据的方法在说明书摘要公布了:提供一种非易失性存储器和一种竖直NAND闪存。所述非易失性存储器包括:存储器单元区域,包括靠近存储器单元区域的第一端的外部区域和通过外部区域与第一端分开的内部区域;第一位线和第二位线;外部存储器单元串,包括连接到延伸通过外部区域的外部柱的存储器单元;内部存储器单元串,包括连接到延伸通过内部区域的内部柱的存储器单元;以及数据输入输出电路。数据输入输出电路包括:页面缓冲器电路,在第一读取操作期间,页面缓冲器电路连接第一位线,并且在第二读取操作期间,页面缓冲器电路连接第二位线;以及读取电压确定单元,选择在第一读取操作期间使用的第一最佳读取电压和在第二读取操作期间使用的第二最佳读取电压。
本发明授权存储器装置和读取数据的方法在权利要求书中公布了:1.一种非易失性存储器,包括: 存储器单元区域,其包括靠近所述存储器单元区域的第一端的外部区域和通过所述外部区域与所述第一端分开的内部区域; 第一位线和第二位线; 外部存储器单元串,其包括连接到外部柱的存储器单元,所述外部柱竖直向上延伸通过所述外部区域; 内部存储器单元串,其包括连接到内部柱的存储器单元,所述内部柱竖直向上延伸通过所述内部区域;以及 数据输入输出电路,其包括: 页面缓冲器电路,在针对所述外部存储器单元串的存储器单元的第一读取操作期间,所述页面缓冲器电路连接所述第一位线,并且在针对所述内部存储器单元串的存储器单元的第二读取操作期间,所述页面缓冲器电路连接所述第二位线;以及 读取电压确定单元,其从存储在所述页面缓冲器电路中的第一多个候选读取电压中选择在所述第一读取操作期间使用的第一最佳读取电压并且从存储在所述页面缓冲器电路中的第二多个候选读取电压中选择在所述第二读取操作期间使用的第二最佳读取电压。
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