中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司韩亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利一种半导体器件及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910335438.8，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权一种半导体器件及形成方法是由韩亮设计研发完成，并于2019-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。本发明实施例通过在形成浮栅的过程中和形成浮栅后，增加形成氧化层的工艺步骤，并在后通过去除氧化层使得浮栅下方的柱状有源区的顶部的边缘形成为较为平滑的形状，由此，使得所述边缘相对于后续形成的控制栅导电结构深入到柱状浮栅之间的尖端区域的面的面积较大，减小上述两者之间的电场，避免在漏电流通过时，半导体器件被击穿。由此，可以提高半导体器件的可靠性。
本发明授权一种半导体器件及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括依次叠置的有源区基底、停止层、浮栅材料层及硬掩膜层； 刻蚀预定区域的所述硬掩膜层和所述浮栅材料层至露出所述停止层，以形成分立的浮栅； 沉积覆盖所述浮栅和所述停止层的第一氧化层； 刻蚀所述浮栅之间的第一氧化层、停止层和有源区基底，以形成凹槽； 去除所述第一氧化层； 氧化所述浮栅的表面，以形成第二氧化层； 去除所述第二氧化层，以使得所述浮栅下方的有源区基底的顶部边缘平滑； 在去除所述第二氧化层后，去除所述硬掩膜层； 形成覆盖所述凹槽表面和所述浮栅表面的隔离层，所述隔离层的上表面高于所述浮栅的上表面； 回刻蚀所述隔离层，以形成浅沟槽隔离结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：300000 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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