格芯(美国)集成电路科技有限公司许德伟获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利用于集成电路的电容器结构以及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111303270.6，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权用于集成电路的电容器结构以及相关方法是由许德伟;S·K·辛格;S-Y·库克;R·A·奥格尔设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于集成电路的电容器结构以及相关方法在说明书摘要公布了：本发明涉及用于集成电路的电容器结构以及相关方法。本公开的实施例提供了一种用于集成电路IC的电容器。该电容器可以包括位于第一布线层内的第一导体的上表面上的第一竖直电极。电容器介质可以位于第一竖直电极的上表面上。第二竖直电极可以位于电容器电介质的上表面上。第二竖直电极在竖直方向上位于电容器电介质和第二导体之间。层级间电介质ILD层与第一竖直电极、电容器电介质和第二竖直电极中的每一者相邻。ILD层在竖直方向上位于第一导体和第二导体之间。
本发明授权用于集成电路的电容器结构以及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种用于集成电路IC的电容器，所述电容器包括： 位于第一布线层内的第一导体的上表面上的第一竖直电极，其中所述第一竖直电极包括侧壁； 位于所述第一竖直电极的上表面上的电容器电介质，其中所述电容器电介质包括与所述第一竖直电极的所述侧壁竖直对准的侧壁； 位于所述电容器电介质的上表面上的第二竖直电极，其中所述第二竖直电极在竖直方向上位于所述电容器电介质和第二导体之间，其中所述第二竖直电极和所述第二导体包括与所述第一竖直电极的所述侧壁竖直对准的侧壁；以及与所述第一竖直电极、所述电容器电介质和所述第二竖直电极中的每一者相邻的层级间电介质ILD层，以及其中所述第二导体包括位于所述ILD层的上表面上的第二布线层内的金属线，其中所述ILD层在竖直方向上位于所述第一导体和所述金属线之间。
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