上海禾赛科技有限公司刘颖彪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海禾赛科技有限公司申请的专利背照式单光子雪崩二极管、形成方法以及激光雷达获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664966B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011538082.7，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权背照式单光子雪崩二极管、形成方法以及激光雷达是由刘颖彪;弗朗西斯科·潘泽里;向少卿设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式单光子雪崩二极管、形成方法以及激光雷达在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种背照式单光子雪崩二极管、形成方法以及激光雷达，背照式单光子雪崩二极管包括中浅槽隔离结构，位于相邻二极管区之间，且位于外延层远离衬底的端面上，浅槽隔离结构能够很好的隔离相邻二极管区，且在背照式单光子雪崩二极管的形成过程中，形成浅槽隔离结构后，形成第一掺杂区，从而形成第一掺杂区的过程中，浅槽隔离结构起到阻挡作用，浅槽隔离结构使得一个二极管区中第一掺杂区的掺杂离子不易进入相邻的二极管区中，使得相邻背照式单光子雪崩二极管之间不易出现元素串扰，有利于提高背照式单光子雪崩二极管的良品率和电学性能。
本发明授权背照式单光子雪崩二极管、形成方法以及激光雷达在权利要求书中公布了：1.一种背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，包括： 衬底，包括背表面和与所述背表面相对的前表面； 多个二极管区，位于所述衬底的前表面上，所述二极管区包括： 外延层； 第一掺杂区，位于所述外延层远离所述衬底的端面上； 浅槽隔离结构，位于相邻所述二极管区之间，且位于所述外延层远离所述衬底的端面上； 深槽隔离结构，位于相邻的所述二极管区之间，从所述衬底的背表面延伸至所述浅槽隔离结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海禾赛科技有限公司，其通讯地址为：201821 上海市嘉定区新徕路468号园区二号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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