塞姆隆有限责任公司K-U·德玛斯休思获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉塞姆隆有限责任公司申请的专利电容性突触部件及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080513.1，技术领域涉及：H10D1/66；该发明授权电容性突触部件及其控制方法是由K-U·德玛斯休思;A·克斯什设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容性突触部件及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电容性突触部件,其由栅电极1组成的层状结构构成,该电容性突触部件包括与栅电极1相连的第一介电层2、第二介电层4、与第二介电层4连接的读出电极5以及设置在第一介电层2和第二介电层4之间的中间层3。本发明还涉及一种写入和读取所述部件的方法。本发明想要解决的问题是在不改变板间距、表面积、相对介电常数或不限制横向可伸缩性的情况下，还能够实现高电容偏差率。该问题的解决方法是将中间层设计为在电场中具有可调屏蔽行为的层，该层能够从栅电极向读出电极的方向延伸，并且中间层设有一个或多个能够实现电荷流入或流出中间层的合适的触点。
本发明授权电容性突触部件及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种电容性突触部件，其包括由栅电极1组成的层状结构,所述电容性突触部件包括第一介电层2、第二介电层4、与第二介电层4连接的读出电极5以及设置在第一介电层2和第二介电层4之间的中间层3，所述第一介电层2与栅电极1连接，所述电容性突触部件由导电材料、半导体材料、绝缘材料或石墨烯构成，其特征在于，所述中间层3实施为在电场中具有可调屏蔽行为的层，所述中间层3从栅电极3向读出电极5的方向延伸，并且中间层设置有一个或多个实现电荷流入或流出中间层的专用触点； 其中，所述中间层3由半导体材料构成，且所述中间层3具有横向高掺杂的p型区和n型区，并且中间区域仅为弱掺杂或以本征方式实施，从而形成横向的psn区或pin区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人塞姆隆有限责任公司，其通讯地址为：德国德累斯顿；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号