上海华力集成电路制造有限公司翁文寅获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改变闸级截断设计的反相器版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114818571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210235439.7，技术领域涉及：G06F30/36；该发明授权改变闸级截断设计的反相器版图是由翁文寅设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本改变闸级截断设计的反相器版图在说明书摘要公布了：本发明提供一种改变闸级截断设计的反相器版图，包括平行的pMOS图形和nMOS图形；分别均位于pMOS图形和nMOS图形两侧的第一、二伪栅图形；位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一、二伪栅图形间的主栅极图形；分别一端位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一伪栅图形与主栅极图形间的第一、二焊垫图形；两端分别位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于主栅极图形和nMOS图形间的第三焊垫图形；分别位于第一、二伪栅图形和主栅极图形上的剪切图形。本发明由于在FinFET器件上的层间介质层应力对器件的栅极切割产生影响，通过在NMOS剪切主栅，在PMOS上剪切伪栅，改善了器件速度和稳态电流测试。
本发明授权改变闸级截断设计的反相器版图在权利要求书中公布了：1.一种改变闸级截断设计的反相器版图，其特征在于，包括： 平行的pMOS图形和nMOS图形； 分别均位于所述pMOS图形和所述nMOS图形两侧的第一、二伪栅图形； 位于所述pMOS图形和所述nMOS图形上，且位于所述第一、二伪栅图形间的主栅极图形； 位于第一伪栅图形与所述主栅极图形间且一端位于所述pMOS图形上的第一焊垫图形； 位于所述第一伪栅图形与所述主栅极图形间且一端位于所述nMOS图形上的第二焊垫图形； 位于所述主栅极图形和第二伪栅图形间且两端分别位于所述pMOS图形和所述nMOS图形上的第三焊垫图形； 分别位于所述第一、二伪栅图形和所述主栅极图形上的剪切图形，其中，所述剪切图形包括：共用于所述第一伪栅图形和所述第一焊垫图形的第一剪切图形；共用于所述主栅极图形和所述第二焊垫图形的第二剪切图形；以及设置于所述第二伪栅图形一端的第三剪切图形。
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