中国科学院半导体研究所翟慎强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利短波量子级联激光器结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211022360.2，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权短波量子级联激光器结构及其制备方法是由翟慎强;费腾;张锦川;刘峰奇设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本短波量子级联激光器结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种短波量子级联激光器结构及其制备方法，该短波量子级联激光器结构包括：N型磷化铟衬底，N型磷化铟衬底上依次生长N型磷化铟缓冲层、N型磷化铟下波导、量子级联增益区结构、N型磷化铟上波导、N型磷化铟渐变掺杂层和N型磷化铟上接触高掺层；其中，量子级联增益区结构为多周期应变补偿的量子阱和量子垒的交替结构，与N型InP衬底晶格失配；量子阱的材料为铟镓砷，量子垒为铟铝砷、砷化铝和铟铝砷材料依次外延生成。该激光器结构降低了外延生长短波量子级联激光器的难度，能提高材料生长的容错性，可以提高注入效率，降低载流子热逃逸几率，提高了器件的工作温度。
本发明授权短波量子级联激光器结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种短波量子级联激光器结构，其特征在于，包括： N型磷化铟衬底，所述N型磷化铟衬底上依次生长N型磷化铟缓冲层、N型磷化铟下波导、量子级联增益区结构、N型磷化铟上波导、N型磷化铟渐变掺杂层和N型磷化铟上接触高掺层； 其中，所述量子级联增益区结构为多周期应变补偿的量子阱和量子垒的交替结构，与所述N型磷化铟衬底晶格失配； 所述量子阱的材料为铟镓砷，所述量子垒为铟铝砷、砷化铝和铟铝砷材料依次外延生成，所述量子阱的材料为In0.7Ga0.3As，所述量子垒的铟铝砷材料为In0.36Al0.64As； 所述量子级联增益区的应变为1%； 所述量子垒中砷化铝的厚度为两个原子单层，且仅在注入区插入砷化铝层； 单层所述量子垒的厚度为0.5~4nm，单层所述量子阱的厚度为1~6nm。
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