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天津工业大学张仕通获国家专利权

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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种高通量快速构筑MOF/COF膜的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115775604B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211544197.6,技术领域涉及:G16C60/00;该发明授权一种高通量快速构筑MOF/COF膜的方法是由张仕通;张政清;贺艳静;仲崇立设计研发完成,并于2022-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高通量快速构筑MOF/COF膜的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高通量快速构筑MOFCOF膜的方法,该方法的步骤如下:调整晶面;构建超晶胞模型;划分结构组成单元;根据MOFCOF材料实际合成特点,分析超晶胞内部的结构组成单元;构建层板模型主要结构;表面结构处理;保存输出结构。本发明的有益效果是:本发明可以快速地构筑出较为合理的MOFCOF膜和表界面结构的模型,不仅能表示膜的表界面结构还能反映膜的晶面取向特征,从而为相应的计算机分子模拟研究提供大批量的模型基础。针对当期结合分子模拟技术的高通量筛选研究中缺乏大量的MOFCOF表界面膜结构模型的问题,快速构建该类模型。

本发明授权一种高通量快速构筑MOF/COF膜的方法在权利要求书中公布了:1.一种高通量快速构筑MOFCOF膜的方法,其特征在于:该方法的步骤如下: S1,调整晶面;读取MOFCOF的晶体结构,选择层板模型所要暴露的晶面以及层板模型的厚度,根据所要暴露的晶面重新定义MOFCOF的三条晶轴,即a,b轴为该选定晶面所在平面内的晶轴,c轴为该选定晶面所在平面外的晶轴;根据定义的三条晶轴,重新计算相应的原子坐标; S2,构建超晶胞模型;根据层板模型的厚度,对MOFCOF的晶体结构在c轴方向上进行周期性延拓,构建超晶胞,使得超晶胞在垂直于晶面的方向即z轴方向上的高度超过层板模型的厚度,且z轴方向上的高度至少超出对应MOFCOF单晶胞的高度的二倍; S3,划分结构组成单元;根据MOFCOF材料实际合成特点,分析超晶胞内部的结构组成单元; 对于MOF晶体,结构组成单元主要通过金属节点划分,包括金属节点结构组成单元和非金属结构组成单元; 对于COF晶体,结构组成单元主要通过特征键划分,特征键包括亚胺键或硼酸键常见COF的特征键; S4,构建层板模型主要结构;根据需要设定的层板模型的厚度h,在超晶胞结构z轴方向上,设定出一个层板模型的厚度为h的高度区域,该高度区域的最低点和最高点对应的位置分别记为zmin和zmax; S5,表面结构处理; 对于MOF,根据模拟需求选择是否进行表面质子化;若需要MOF膜的模型进行表面质子化,根据保留的多原子结构组成单元,分析与多原子结构组成单元连接的金属离子是否保留在输出文件中,若是相应的金属离子未保留,则在与多原子结构组成单元连接的金属原子上连接一个氢质子; 若是模拟需求选择不需要MOF膜的模型进行表面质子化,则不进行表面结构处理; 对于COF晶体,结构组成单元中的部分原子包含在特征键之中,对于不同的特征键,预先定义相应反应物的反应位点结构,然后对于层板表面结构组成单元,按照预先定义的结构增加相应的原子,以修复表面结构,得到合理的表面结构;在修复过程中,根据模拟需求选择是否添加相应的质子; S6,保存输出结构;根据模拟需求,在输出的结构文件中,定义真空层的高度,以及所输出的MOFCOF膜模型的晶轴和晶轴夹角信息,与以上步骤中输出的结构信息共同构成所需要的MOFCOF膜的模型,并存储为计算机模拟程序可识别的文件格式; 按照以上步骤循环处理下一个MOFCOF结构输入文件,直到所有的MOFCOF结构输入文件被处理完毕。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人天津工业大学,其通讯地址为:300000 天津市西青区宾水西道399号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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