杭纳半导体装备(杭州)有限公司王正安获国家专利权
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龙图腾网获悉杭纳半导体装备(杭州)有限公司申请的专利一种磁控溅射系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116479394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310464653.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种磁控溅射系统及方法是由王正安;来华杭;郭峰;李建镇设计研发完成，并于2023-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁控溅射系统及方法在说明书摘要公布了：本发明属于磁控溅射领域，具体是涉及到一种磁控溅射系统及方法，包括真空腔室、物料输送装置和至少两个镀膜单元；镀膜单元包括镀膜腔室和设置在镀膜腔室内的镀膜机构；物料输送装置用于输送基材经过至少两个镀膜单元；真空腔室连接有抽真空装置，每个镀膜腔室均单独连接有充工艺气体装置，本发明抽真空装置是抽气，而充工艺气体装置是充气，因此，不同的充工艺气体装置对应不同的气体成分不会进入其他镀膜腔室内，通过一个抽真空装置即可保证每个镀膜单元的镀膜环境，又可以使每个镀膜单元具有合适的气氛且不会相互干扰，可以极大的提高基材的多层镀膜效果。
本发明授权一种磁控溅射系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种磁控溅射系统，其特征是，包括真空腔室1、物料输送装置3和至少两个镀膜单元2； 所述镀膜单元2包括镀膜腔室21和设置在镀膜腔室21内的镀膜机构22，所述镀膜腔室21两侧分别设置有基材进料口211和基材出料口212，至少两个镀膜单元2依次设置在真空腔室1内，且相邻镀膜单元2的基材进料口211和基材出料口212对应设置； 所述物料输送装置3用于输送基材6经过至少两个镀膜单元2； 所述真空腔室1连接有抽真空装置4，每个镀膜腔室21均单独连接有充工艺气体装置； 所述镀膜腔室21上设置有过气孔，所述抽真空装置4沿真空腔室1长度方向等距设置有多个，且多个抽真空装置4与镀膜单元2一一对应。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭纳半导体装备(杭州)有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号信息港五期一号楼8309；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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