深圳市速腾聚创科技有限公司陈俊麟获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市速腾聚创科技有限公司申请的专利激光发射电路和激光雷达获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116626652B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310280112.6，技术领域涉及：G01S7/484；该发明授权激光发射电路和激光雷达是由陈俊麟;芮文彬设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本激光发射电路和激光雷达在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种激光发射电路和激光雷达，属于激光雷达领域。通过更改激光发射电路的结构，使激光发射电路在转能阶段，来自储能元件的转能电流不经过激光二极管，激光二极管相对于转能电流处于反向偏置状态，因此释能开关元件的寄生电容不会因转能充电过程而造成激光二极管提前发光，避免激光二极管在非预期时间发光，解决了激光漏光的问题。
本发明授权激光发射电路和激光雷达在权利要求书中公布了：1.一种激光发射电路，其特征在于，包括： 充能电路，与释能电路相连，所述充能电路包括第一储能元件，用于在充能阶段，利用来自电源的充能电流对所述第一储能元件进行充电； 转能电路，与所述充能电路和所述释能电路相连，所述转能电路包括第二储能元件，用于在转能阶段，利用来自所述第一储能元件的转能电流对所述第二储能元件进行充电；其中，在所述转能阶段，所述转能电流对激光二极管保持反向偏置状态； 释能电路，与所述转能电路相连，所述释能电路包括所述激光二极管，用于在释能阶段，利用来自所述第二储能元件的释能电流驱动所述激光二极管发光； 其中，所述转能电路还包括旁路二极管和升压整流二极管；所述释能电路包括释能开关； 在所述反向偏置状态下，所述转能电流一路流经所述电路环路中的所述升压整流二极管和所述第二储能元件到地，以及所述转能电流另一路流经所述旁路二极管和所述释能开关的寄生电容到地；或，在所述反向偏置状态下所述转能电流一路流经所述升压整流二极管、所述旁路二极管和所述第二储能元件到地以及另一路流经所述寄生电容到地。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市速腾聚创科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙大道1213号众冠红花岭工业南区2区9栋1层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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