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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利原位包覆含铜化合物的铜基氧化物材料、制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117832413B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211183417.7，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权原位包覆含铜化合物的铜基氧化物材料、制备方法和应用是由胡勇胜;容晓晖;胡紫霖;陈立泉设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本原位包覆含铜化合物的铜基氧化物材料、制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种原位包覆含铜化合物的铜基氧化物材料、制备方法和应用。原位包覆含铜化合物的铜基氧化物材料的化学通式为ηXαCuβOγ‑NaaXb[CucFedMneMef]O2+gYh；X为Na位掺杂元素，Me为过渡金属位掺杂元素，Y为O位掺杂元素；XαCuβOγ为烧结制备铜基氧化物材料过程中在NaaXb[CucFedMneMef]O2+gYh表面原位生成的含铜化合物包覆层，η为前驱体材料种元素X过量的摩尔比；在烧结制备铜基氧化物材料的过程中产生姜泰勒畸变，使得材料的体相中MnO6的产生降低了CuO6八面体的固溶度，导致部分Cu元素从体相中析出富集在表面，并与过量添加的掺杂元素X一起原位形成含铜化合物XαCuβOγ包覆层；在包覆层的结构中具有钠离子扩散的通道，能够降低界面阻抗，提升材料循环寿命。

本发明授权原位包覆含铜化合物的铜基氧化物材料、制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种原位包覆含铜化合物的铜基氧化物材料，其特征在于，所述原位包覆含铜化合物的铜基氧化物材料的化学通式为： ηXαCuβOγ‑NaaXb[CucFedMneMef]O2+gYh； X为Na位掺杂元素，包括Li、Mg、K、Ca、Al中的一种或多种；Me为过渡金属位掺杂元素，包括Li、B、Na、Mg、Ca、Si、P、S、Sc、Ti、V、Cr、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、La、Ta、Ir、Bi中的一种或多种；Y为O位掺杂元素，包括F、N、S、Cl、Br、Se中的一种或多种；a、b、c、d、e、f、2+g、h表示NaaXb[CucFedMneMef]O2+gYh分子中相应原子的个数； XαCuβOγ为烧结制备铜基氧化物材料过程中在NaaXb[CucFedMneMef]O2+gYh表面原位生成的含铜化合物包覆层，η为前驱体材料种元素X过量的摩尔比；其中，0.1％≤η≤8％，1≤α≤2，1≤β≤2，2≤γ≤4； 在烧结制备铜基氧化物材料的过程中产生姜泰勒畸变，使得材料的体相中MnO6的产生降低了CuO6八面体的固溶度，导致部分Cu元素从体相中析出富集在表面，并与过量添加的掺杂元素X一起原位形成含铜化合物XαCuβOγ包覆层；在所述包覆层的结构中具有钠离子扩散的通道。

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