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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种1D GaN纳米柱阵列/2D MoS2/Pedot : Pss自供电柔性紫外探测器与制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117855313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311729194.4，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权一种1D GaN纳米柱阵列/2D MoS2/Pedot : Pss自供电柔性紫外探测器与制备是由李国强;唐鑫;王文樑设计研发完成，并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种1D GaN纳米柱阵列/2D MoS2/Pedot : Pss自供电柔性紫外探测器与制备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种1DGaN纳米柱阵列2DMoS2薄膜Pedot:Pss自供电柔性紫外探测器与制备；器件包括PET衬底，ITO薄膜，金属电极，MoS2薄膜，GaN纳米柱阵列。发明人通过湿法转移技术将1DGaN纳米柱阵列2DMoS2薄膜无损转移至Pedot:PssITOPET柔性衬底上构建柔性异质结，实现了自供电柔性探测器制备。由于2DMoS2薄膜作为转移模板，1DGaN纳米柱阵列不会出现倒塌与破坏。该器件利用了GaN纳米柱阵列巨大的比表面积提升光吸收，利用了2DMoS2的二维量子限域性，提高了载流子迁移率，因此，柔性探测器在紫外探测器时表现出高响应度、快响应速度，制备过程无复杂操作和有害污染物产生，为下一代光电探测提供了有效策略。

本发明授权一种1D GaN纳米柱阵列/2D MoS2/Pedot : Pss自供电柔性紫外探测器与制备在权利要求书中公布了：1.一种1D GaN 纳米柱阵列2D MoS2Pedot:Pss自供电柔性紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：通过化学气相沉积工艺，在SiO2Si衬底上制备了2D MoS2薄膜； S2：将步骤S1中的MoS2SiO2Si置于射频辅助分子束外延设备中，在MoS2SiO2Si上生长出GaN纳米柱； S3：将步骤S2中的GaN纳米柱MoS2SiO2Si旋涂PMMA溶液并加热固化； S4：将步骤S3中的PMMAGaN纳米柱MoS2SiO2Si置于稀HF溶液中，去除SiO2薄膜，得到PMMAGaN纳米柱MoS2； S5、将步骤S4中的PMMAGaN纳米柱MoS2转移至Pedot:PssITOPET柔性衬底上，并采用反应离子刻蚀来去除表面PMMA； S6、通过电子束蒸发工艺，在步骤S5得到的GaN纳米柱MoS2Pedot:PssITOPET柔性衬底上制备TiAu电极得到自供电柔性紫外光电探测器； GaN纳米柱垂直阵列的长度为200~600 nm，直径为30~70 nm；GaN纳米柱的密度为5.0×10 9 ~10.0×10 9 cm2； MoS2薄膜厚度为2~7nm。

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