上海凯世通半导体股份有限公司;北京凯世通半导体有限公司;上海临港凯世通半导体有限公司姜畅获国家专利权
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龙图腾网获悉上海凯世通半导体股份有限公司;北京凯世通半导体有限公司;上海临港凯世通半导体有限公司申请的专利一种带电粒子束流引出装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410843172.9，技术领域涉及：H01J37/12；该发明授权一种带电粒子束流引出装置和方法是由姜畅;李轩;杨立军;夏世伟;洪俊华;刘科;孙喆;李勇军设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带电粒子束流引出装置和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带电粒子束流引出装置和方法，可适用于半导体加工技术领域中的离子注入机。本发明的带电粒子束流引出装置，包括离子源腔体和引出电极组，其中离子源腔体设置有第四电极，引出电极组在带电粒子束流的前进方向上依次包括第三电极、第二电极和第一电极。本发明的带电粒子束流引出方法通过利用前述装置，能够在同一电极结构下引出更大电流范围的束流，并能同时满足焦点稳定、均匀性、和小发散角的要求。
本发明授权一种带电粒子束流引出装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种带电粒子束流引出装置，其特征在于，包括： 离子源腔体，用于产生等离子体，所述离子源腔体设置有第四电极，所述第四电极具有用于向外发射带电粒子束流的引出口； 以及引出电极组，所述引出电极组在所述带电粒子束流的前进方向上依次包括第三电极、第二电极和第一电极，所述第三电极、所述第二电极和所述第一电极均具有供所述带电粒子束流穿过的开口，其中，当所述带电粒子束流是正离子束流时，所述第一电极接地，所述第二电极与所述第一电极的电势差为负，所述第四电极与所述第一电极的电势差为正，所述第三电极与所述第四电极的电势差为负； 其中，当所述带电粒子束流是负离子束流时，所述第一电极接地，所述第二电极与所述第一电极的电势差为正，所述第四电极与所述第一电极的电势差为负，所述第三电极与所述第四电极的电势差为正； 所述第四电极、所述第二电极和所述第一电极三者形成第一透镜电场，并且所述第三电极、所述第二电极和所述第一电极三者形成第二透镜电场，所述第二透镜电场可以实现对所述带电粒子束流的二次聚焦。
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