株式会社芝浦电子新关尚宏获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社芝浦电子申请的专利温度传感器元件及温度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118715428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380021778.8，技术领域涉及：G01K7/22；该发明授权温度传感器元件及温度传感器是由新关尚宏设计研发完成，并于2023-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本温度传感器元件及温度传感器在说明书摘要公布了：提供一种温度传感器元件，其即使长时间持续在强还原性气氛中使用，也能抑制感热体的还原反应。本发明的温度传感器元件1具备：感热体11，其电阻随着温度变化；第一被覆层20，其将感热体11的周围覆盖；一对引出线15、15，其与感热体11连接，并且贯通第一被覆层20并朝向后端侧被引出；第二被覆层25、27，其将贯通第一被覆层20并被引出的一对引出线15、15的周围覆盖；以及第三被覆层30，其将第一被覆层20及第二被覆层25、27的周围覆盖。当将引出线15、第二被覆层25、27及第三被覆层30的各自的线膨胀系数设为α15、α25及α30时，α15＜α30＜α25的关系成立。
本发明授权温度传感器元件及温度传感器在权利要求书中公布了：1.一种温度传感器元件，其特征在于，其具备： 感热体，其电阻随着温度变化； 第一被覆层，其将所述感热体的周围覆盖； 一对引出线，其与所述感热体连接，并且贯通所述第一被覆层而被引出； 第二被覆层，其将所述第一被覆层和贯通所述第一被覆层并被引出的一对所述引出线的周围覆盖；以及第三被覆层，其将所述第一被覆层及所述第二被覆层的周围覆盖，所述第二被覆层在与所述引出线的外周面接触并且包围所述引出线的周围的部位分别各自覆盖所述引出线，在该部位，一对引出线分别包含引出线、包围引出线的周围的第二被覆层、包围第二被覆层的周围的第三被覆层的结构，当将所述引出线、所述第二被覆层及所述第三被覆层的各自的线膨胀系数设为α15、α25及α30时，α15＜α30＜α25的关系成立，所述第一被覆层由第一氧化物粉末或者所述第一氧化物粉末与玻璃的混合物构成，所述第二被覆层由第二氧化物粉末与玻璃的混合物构成，所述第三被覆层由第三氧化物粉末与玻璃的混合物构成。
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