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龙图腾网获悉株洲时代新材料科技股份有限公司申请的专利一种低温固化功率半导体封装用聚酰胺酸及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118994577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411119365.6，技术领域涉及：C08G73/10；该发明授权一种低温固化功率半导体封装用聚酰胺酸及其制备方法是由王进;刘杰;江乾;孙乐乐;高纪明;杨海洋;黄安民;杨军设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温固化功率半导体封装用聚酰胺酸及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种低温固化功率半导体封装用聚酰胺酸及其制备方法，由中间为聚乙二醇链的二醚二酐、含柔性间隔基团的芳香族二胺及双3‑氨丙基封端的聚二甲基硅氧烷平均分子量≤3000gmol在极性非质子溶剂中共聚而成。制备过程为在高纯度惰性气体氛围下，将芳香族二胺和封端剂溶于极性非质子溶剂中，0‑5℃条件下分批加入二醚二酐进行共聚反应得到。本发明制备的聚酰胺酸极大地降低了其玻璃化转变温度，使其最高固化温度≤220℃，固化时间≤4h，亚胺化程度达到100％，与氮化铝基材的粘结强度≥15.0MPa，是普通聚酰亚胺产品的10倍以上，划格试验结果达到0级。

本发明授权一种低温固化功率半导体封装用聚酰胺酸及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低温固化功率半导体封装用聚酰胺酸，其特征在于，由中间为聚乙二醇链的二醚二酐、含柔性间隔基团的芳香族二胺和双3‑氨丙基封端的聚二甲基硅氧烷在极性非质子溶剂中共聚而成，所述3‑氨丙基封端的聚二甲基硅氧烷的平均分子量≤3000gmol；所述双3‑氨丙基封端的聚二甲基硅氧烷和含柔性间隔基团的芳香族二胺的总摩尔量与中间为聚乙二醇链的二醚二酐的摩尔量比为1.00：0.95~1.00； 所述双3‑氨丙基封端的聚二甲基硅氧烷与含柔性间隔基团的芳香族二胺的摩尔比为1.00：15.00~20.00； 所述芳香族二胺中的柔性间隔基团选自碳原子数为1‑12的烷基中的一种； 所述中间为聚乙二醇链的二醚二酐选自由‑OCH2CH2‑链接的双邻苯二甲酸酐、由‑OCH2CH22‑链接的双邻苯二甲酸酐、由‑OCH2CH23‑链接的双邻苯二甲酸酐、由‑OCH2CH24‑链接的双邻苯二甲酸酐、由‑OCH2CH25‑链接的双邻苯二甲酸酐、由‑OCH2CH26‑链接的双邻苯二甲酸酐中的一种或几种。

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