中国科学院微电子研究所马乐获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种工艺窗口确定方法和相关装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119165745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411584831.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种工艺窗口确定方法和相关装置是由马乐;韦亚一;董立松;粟雅娟设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种工艺窗口确定方法和相关装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种工艺窗口确定方法和相关装置，建立带有空气层的表面等离子体光刻结构对应的表面等离子体光刻模型，通过表面等离子体光刻模型进行仿真，确定光刻后的光刻胶图形，以及光刻胶图形的线宽；调整表面等离子体光刻模型中的曝光能量，以及空气层的厚度，重复执行上述步骤，得到多个曝光能量、空气层的厚度和光刻胶图形的线宽之间的对应关系；基于对应关系以及光刻胶图形与掩模层的允许误差范围，确定掩模层对应的工艺窗口。本申请仿真表面等离子体光刻结构的具体光刻过程，并且在不同的曝光能量和空气层的厚度下进行多次仿真，节省了材料和时间，提高了工艺窗口的准确度，提高表面等离子体光刻的工艺参数波动容忍度。
本发明授权一种工艺窗口确定方法和相关装置在权利要求书中公布了：1.一种工艺窗口确定方法，其特征在于，包括： 步骤101，建立表面等离子体光刻结构对应的表面等离子体光刻模型；所述表面等离子体光刻结构包括依次层叠的衬底层、光刻胶层、空气层、金属层、绝缘层和掩模层； 步骤102，通过表面等离子体光刻模型进行仿真，确定光刻后的光刻胶图形，以及所述光刻胶图形的线宽； 步骤103，调整所述表面等离子体光刻模型中的曝光能量，以及所述空气层的厚度，重复执行所述步骤101至步骤102，得到多个所述曝光能量、所述空气层的厚度和所述光刻胶图形的线宽之间的对应关系； 步骤104，基于所述对应关系，以及所述光刻胶图形与所述掩模层的允许误差范围，确定所述掩模层对应的工艺窗口。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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