西门子工业软件有限公司S·斯里尼瓦桑获国家专利权
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龙图腾网获悉西门子工业软件有限公司申请的专利用于等离子体诱导损伤避免的基于路径的层堆叠连接检查获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119213438B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280096185.3，技术领域涉及：G06F21/71；该发明授权用于等离子体诱导损伤避免的基于路径的层堆叠连接检查是由S·斯里尼瓦桑;李宜庭;凌雷;李聪设计研发完成，并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于等离子体诱导损伤避免的基于路径的层堆叠连接检查在说明书摘要公布了：本申请公开了一种计算系统，该计算系统实现可靠性验证工具以识别布局设计的描述集成电路的部分，该集成电路包括受害晶体管和攻击晶体管，该受害晶体管具有连接到攻击晶体管的栅极。可靠性验证工具可以提取用于受害晶体管和攻击晶体管之间的连接的电阻网络，并且模拟电阻网络以确定受害晶体管和攻击晶体管的阱之间的连接发生在受害晶体管的栅极连接到攻击晶体管之前。
本发明授权用于等离子体诱导损伤避免的基于路径的层堆叠连接检查在权利要求书中公布了：1.一种用于等离子体诱导损伤避免的基于路径的层堆叠连接检查的方法，包括： 由计算系统识别布局设计的描述集成电路的部分，所述集成电路包括受害晶体管和攻击晶体管，所述受害晶体管具有连接到攻击晶体管的栅极，其中，所述受害晶体管和所述攻击晶体管具有阱； 由所述计算系统提取用于所述受害晶体管与所述攻击晶体管之间的连接的电阻网络； 以及由所述计算系统模拟所述电阻网络，以确定所述受害晶体管的所述阱与所述攻击晶体管的所述阱之间的连接发生在所述受害晶体管的所述栅极连接到所述攻击晶体管之前； 其中，模拟所述电阻网络还包括： 设置所述受害晶体管的所述栅极与所述攻击晶体管之间的连接的电阻值，以阻挡电流流过所述连接； 在所述电阻网络中的所述攻击晶体管的源极区处注入电流；以及检测在所述电阻网络中的所述受害晶体管的源极区处对所述注入电流的接收，以确认所述受害晶体管的所述阱与所述攻击晶体管的所述阱之间的所述连接。
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