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中国科学院高能物理研究所梁淼获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利一种基于芯片技术的串行晶体学实验装置及其组装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119269551B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411423699.2,技术领域涉及:G01N23/20008;该发明授权一种基于芯片技术的串行晶体学实验装置及其组装方法是由梁淼;高增强;刘鹏;董宇辉设计研发完成,并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于芯片技术的串行晶体学实验装置及其组装方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于芯片技术的串行晶体学实验装置及其组装方法。本装置包括芯片、芯片底座、芯片操作盘、芯片下盘、芯片上盘和低背景散射膜;芯片上设有多个镂空的芯片孔,用于支撑和吸附晶体;芯片下盘、芯片上盘通过嵌套方式将低背景散射膜固定在芯片底座的上下两端;芯片操作盘上设有除液室凹槽和除液室,用于去除芯片内冗余的晶体溶液;除液室凹槽用于容纳芯片底座,除液室的侧壁上设有一抽气孔与抽气系统的抽气管连接,对晶体溶液产生作用力使冗余的晶体溶液被吸至芯片孔的另一端;芯片操作盘上设有观察室凹槽和观察室,用于观测芯片孔中晶体的状态。本发明可快速辅助芯片去除多余晶体溶液,同时芯片可快速的观察、组装并安装在线站上。

本发明授权一种基于芯片技术的串行晶体学实验装置及其组装方法在权利要求书中公布了:1.一种基于芯片技术的串行晶体学实验装置,其特征在于,包括芯片10、芯片底座20、芯片操作盘30、芯片下盘40、芯片上盘50和低背景散射膜; 所述芯片10上设有多个镂空的芯片孔11,用于支撑和吸附被转移到所述芯片10上的晶体溶液中的晶体; 所述芯片底座20上设有芯片底座槽21,用于放置所述芯片10; 所述芯片下盘40、芯片上盘50通过嵌套方式将所述低背景散射膜固定在所述芯片底座20的上下两端,得到上样单元; 所述芯片操作盘30上设有除液室凹槽34和除液室32,用于去除所述芯片10内冗余的晶体溶液;其中,所述除液室32位于所述除液室凹槽34的下方且与所述除液室凹槽34连通,所述除液室凹槽34用于容纳所述芯片底座20,所述除液室32的侧壁上设有一抽气孔,用于与所述芯片操作盘30的气孔35连通;所述气孔35用于与抽气系统的抽气管连接,通过所述抽气系统对所述晶体溶液产生作用力使所述芯片10内冗余的晶体溶液被吸至所述芯片孔11的另一端; 所述芯片操作盘30上设有观察室凹槽33和观察室31,用于观测所述芯片孔11中晶体的状态;所述观察室31位于所述观察室凹槽33的下方且与所述观察室凹槽33连通,所述观察室凹槽33用于容纳所述芯片底座20。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院高能物理研究所,其通讯地址为:100049 北京市石景山区玉泉路19号(乙);或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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