买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于GaN基的单片集成CMOS电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411312259.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种基于GaN基的单片集成CMOS电路是由周靖贵;周琦;张波;唐磊;高欢;杨宁;黄启航;马滦熙;刘文正设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于GaN基的单片集成CMOS电路在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种基于GaN基的单片集成CMOS电路。本发明的电路将传统固定Al组分的AlGaN势垒层替换为Al组分是线性渐变的，具体为从下到上呈线性递减的线性渐变AlGaN势垒层，线性渐变AlGaN势垒层极化差异感生的3DHG加上GaN沟道与线性渐变AlGaN势垒异质结交界面形成的2DHG，增大空穴气整体浓度，进而提升了p‑FETs的导通电流密度。本发明的结构有助于提升p‑FETs导通电流密度、增加PN沟道兼容性、降低单片集成中p‑n‑FETs导通电流失配度，推动基于CMOS的全GaN单片功率集成IC的发展。

本发明授权一种基于GaN基的单片集成CMOS电路在权利要求书中公布了：1.一种基于GaN基的单片集成CMOS电路，其特征在于，包括p‑FETs和n‑FETs，p‑FETs和n‑FETs的共有结构为沿垂直方向依次层叠设置的衬底01、III族氮化物缓冲层02、GaN沟道层03和AlGaN势垒层04，其中AlGaN势垒层04中的Al组分是线性渐变的，渐变方式为自底向上逐渐减少，并且p‑FETs的AlGaN势垒层与n‑FETs的AlGaN势垒层之间是相互隔离的； 所述p‑FETs的AlGaN势垒层中横跨分布有由极化强度渐变而极化感生的3DHG，在AlGaN势垒层上表面具有GaN沟道层05，p‑FETs的AlGaN势垒层与GaN沟道层05界面处形成2DEG，在GaN沟道层05上表面具有P型重掺杂GaN层06；所述P型重掺杂GaN层06上表面两端分别具有p‑FETs源极欧姆金属07和p‑FETs漏极欧姆金属08，其中p‑FETs漏极欧姆金属08位于靠近n‑FETs一侧；p‑FETs源极欧姆金属07和p‑FETs漏极欧姆金属08之间具有槽栅结构，槽栅结构包括栅极介质13和第一栅极金属09，栅极介质13位于在P型重掺杂GaN层06上表面形成的凹槽中，将第一栅极金属09的下部包裹并且两侧分别与p‑FETs源极欧姆金属07和p‑FETs漏极欧姆金属08接触； 所述n‑FETs的AlGaN势垒层结构上表面也具有GaN沟道层05，在GaN沟道层05上表面具有P型重掺杂GaN层06；与p‑FETs不同的是，n‑FETs的AlGaN势垒层的部分上层、GaN沟道层05和P型重掺杂GaN层06的两侧被刻蚀掉，仅保留中部栅极部分区域；n‑FETs的AlGaN势垒层与GaN沟道层03界面处形成2DEG，n‑FETs的AlGaN势垒层上表面两侧分别具有n‑FETs漏极欧姆金属10和n‑FETs源极欧姆金属11，其中n‑FETs漏极欧姆金属10位于靠近p‑FETs一侧；在n‑FETs的P型重掺杂GaN层06上表面具有第二栅极金属12形成平面栅； 所述p‑FETs源极欧姆金属07为CMOS电路的高电平信号端口，n‑FETs源极欧姆金属11为CMOS电路的低电平信号端口，第一栅极金属09和第二栅极金属12相连为CMOS电路的输入电平信号端口，p‑FETs漏极欧姆金属08和n‑FETs漏极欧姆金属10相连为CMOS电路的输出电平信号端口。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。