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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利沟槽栅碳化硅晶体管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317137B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411426850.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟槽栅碳化硅晶体管结构及其制备方法是由詹祖日;吴贤勇;黄栋栋;刘胜北;高芳芳;张宇萱设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽栅碳化硅晶体管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种沟槽栅碳化硅晶体管结构及其制备方法。本发明通过在沟槽栅结构的多晶硅层表面以及驱动栅结构的多晶硅层表面生长形成膜层较薄的牺牲氧化层，可以阻挡形成欧姆接触结构时、溅射金属与多晶硅发生反应，从而可以满足源接触孔和栅接触孔的光刻、刻蚀工艺可以使用同一光罩的条件；同时牺牲氧化层膜层较薄，也方便在去除未发生反应的第一金属层时、将牺牲氧化层一并去除而对其它膜层影响较小。通过采用同一光罩进行光刻、刻蚀同时形成源接触孔和栅接触孔，减少了光罩层数，一方面可以节省光刻、刻蚀工艺时间，有利于减少工艺制造成本，另一方面有利于减少外来缺陷引发的参数异常，使工艺稳定性提高，从而提高生产效率、增加产能。

本发明授权沟槽栅碳化硅晶体管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅碳化硅晶体管结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 形成一基底，所述基底包括碳化硅衬底，自所述碳化硅衬底表面延伸至所述碳化硅衬底内部的沟槽栅结构，以及形成于所述碳化硅衬底表面并与所述沟槽栅结构间隔设置的驱动栅结构； 于所述沟槽栅结构的多晶硅层表面以及所述驱动栅结构的多晶硅层表面生长形成牺牲氧化层； 执行第一金属溅射工艺形成第一金属层，在所述沟槽栅结构两侧、所述第一金属层与所述碳化硅衬底发生反应形成金属化合物作为欧姆接触结构，因所述牺牲氧化层抵挡、所述第一金属层与所有所述多晶硅层未发生反应； 去除所述牺牲氧化层以及未发生反应的所述第一金属层； 形成覆盖所有所述多晶硅层表面、欧姆接触结构表面的介电保护层； 执行共版刻蚀工艺，采用同一光罩对所述介电保护层进行刻蚀，同时形成第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔位于所述沟槽栅结构两侧并暴露出所述欧姆接触结构，所述第二接触孔位于所述驱动栅结构顶部并暴露出所述驱动栅结构的多晶硅层；以及执行第二金属溅射工艺形成第二金属层，其中，填充满所述第一接触孔并与所述欧姆接触结构相接触的所述第二金属层作为第一接触结构，填充满所述第二接触孔并与所述驱动栅结构的多晶硅层相接触的所述第二金属层作为第二接触结构。

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