中国科学院微电子研究所芮定海获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119335822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411751862.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机是由芮定海;张利斌;韦亚一;粟雅娟设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机，可用于半导体制造领域，该方法中，首先，获取套刻误差分布数据；而后，基于套刻误差分布数据，通过预先建立的补偿模型，得到目标补偿方案；目标补偿方案包括目标应力补偿方案和目标局部热补偿方案；最后，基于目标应力补偿方案驱动应力执行器向掩模版施加补偿应力；基于目标局部热补偿方案驱动热补偿器件向掩模版施加补偿热剂量。由此，通过预先建立的补偿模型，根据套刻误差分布数据反向得出补偿套刻误差所需要的补偿应力和补偿热剂量，通过向掩模版施加补偿应力和补偿热剂量引起掩模版形变，可以有效减小光刻工艺的套刻误差，提升产品的可靠性和良率，降低大规模生产成本。
本发明授权一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机在权利要求书中公布了：1.一种光刻工艺套刻误差补偿方法，其特征在于，所述方法包括： 获取套刻误差分布数据；所述套刻误差分布数据包括各个采集点的光刻图案与参考图案之间的偏移值； 基于所述套刻误差分布数据，通过预先建立的补偿模型，得到目标补偿方案；所述补偿模型基于套刻误差分布数据、补偿方案以及补偿参数之间的关联关系建立；所述目标补偿方案包括目标应力补偿方案和目标局部热补偿方案； 基于所述目标应力补偿方案驱动应力执行器向掩模版施加补偿应力；基于所述目标局部热补偿方案驱动热补偿器件向掩模版施加补偿热剂量。
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