珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司宋旋坤获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利半导体刻蚀监测方法、装置、设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411477514.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体刻蚀监测方法、装置、设备和存储介质是由宋旋坤;李辉斌;陈唯一;陈慧设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体刻蚀监测方法、装置、设备和存储介质在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及半导体刻蚀领域，公开了一种半导体刻蚀监测方法、装置、设备和存储介质，包括：确定晶圆的光谱图像数据中每一像素点的光谱向量；选取刻蚀层一像素点确定为第一基准像素点，且确定第一基准像素点对应的光谱向量为第一基准向量；将光谱图像数据中每一像素点的光谱向量与第一基准向量进行相似度对比，确定光谱图像数据中刻蚀层与终止层的分布区域；针对终止层的分布区域，从多个光谱波段中选取符合预设条件的光谱波段范围确定为终止层的特征谱段；基于终止层的特征谱段，对待刻蚀晶圆的刻蚀终点进行监测。本申请解决了在实际工艺中造成刻蚀终点监测不准的问题，根据终止层的特征谱段对刻蚀终点监测，提高刻蚀终点监测的准确性。
本发明授权半导体刻蚀监测方法、装置、设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体刻蚀监测方法，其特征在于，包括： 获取刻蚀后的晶圆的光谱图像数据，其中，所述光谱图像数据包括多个光谱波段下所述晶圆中刻蚀层与终止层的图像数据； 确定所述晶圆的光谱图像数据中每一像素点的光谱向量； 选取所述刻蚀层一像素点确定为第一基准像素点，且确定所述第一基准像素点对应的光谱向量为第一基准向量； 将所述光谱图像数据中每一像素点的光谱向量与所述第一基准向量进行相似度对比，确定所述光谱图像数据中所述刻蚀层与所述终止层的分布区域； 针对所述终止层的分布区域，从多个光谱波段中选取符合预设条件的光谱波段范围，并将符合预设条件的所述光谱波段范围确定为所述终止层的特征谱段； 基于所述终止层的特征谱段，对待刻蚀晶圆的刻蚀终点进行监测。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519070 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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