芯恩(青岛)集成电路有限公司邱海斌获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利监测结构、监测方法及半导体器件电容测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361574B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410469531.9，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权监测结构、监测方法及半导体器件电容测试方法是由邱海斌;朱晓文;王文博设计研发完成，并于2024-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本监测结构、监测方法及半导体器件电容测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种监测结构、监测方法及半导体器件电容测试方法。所述监测结构用于对晶圆上对应的WAT测试结构进行电容测试时所产生的寄生电容以及承载盘噪声进行监测，所述监测结构包括形成于晶圆表面的多个监测焊盘和形成于晶圆内的至少一个导电通道，其中第一监测焊盘与相应的导电通道连接。所述监测方法采用上述监测结构，可以获取测试设备寄生电容、相邻两个探针引入的探针寄生电容以及承载盘产生的噪声并进行监测，便于在寄生电容和承载盘噪声出现异常时及时获得反馈从而及时处理异常信息，减少所述异常信息对WAT测试数据产生的影响，有助于提高WAT测试数据的准确性。所述半导体器件电容测试方法采用上述监测结构和监测方法。
本发明授权监测结构、监测方法及半导体器件电容测试方法在权利要求书中公布了：1.一种监测结构，其特征在于，用于对利用晶圆上的WAT测试结构进行电容测试时所产生的寄生电容以及承载盘噪声进行监测，所述监测结构包括： 形成于所述晶圆表面的多个监测焊盘，所述监测焊盘与所述WAT测试结构的测试焊盘位于所述晶圆的第一表面，并且所述监测焊盘依照所述WAT测试结构中的所述测试焊盘设置； 形成于所述晶圆内的至少一个导电通道，所述导电通道连接所述第一表面和所述晶圆的与所述第一表面相反的第二表面，其中，所述多个监测焊盘包括至少一个第一监测焊盘和至少一个第二监测焊盘，所述第一监测焊盘连接所述导电通道而所述第二监测焊盘不连接所述导电通道，所述第一监测焊盘相邻的所述监测焊盘为所述第二监测焊盘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯恩(青岛)集成电路有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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