上海华力集成电路制造有限公司郭加龙获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利SONOS闪存器件选择管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411622760.6，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权SONOS闪存器件选择管的制造方法是由郭加龙;徐友峰;李芳设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本SONOS闪存器件选择管的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SONOS器件的SONOS闪存器件选择管的制造方法。该方法包括提供带有控制栅结构的半导体衬底，每个控制栅结构包括控制栅多晶硅层、形成于控制栅多晶硅层与半导体衬底之间的ONO层和位于控制栅多晶硅层上面形成氧化硅硬掩模层和氮化硅硬掩模层；在控制栅结构的左右两侧形成氮化硅隔离层；沉积多晶硅，多晶硅覆盖在带有氮化硅隔离层的控制栅结构表面、填充在相邻控制栅结构之间的间隔中和覆盖在半导体衬底上；沉积多晶硅侧墙硬掩模层，多晶硅侧墙硬掩模层基于多晶硅的表面形貌覆盖在多晶硅的上表面；对多晶硅侧墙硬掩模层和多晶硅进行一体刻蚀，保留覆盖在控制栅结构侧面形貌为竖直区多晶硅；去除剩余的多晶硅侧墙硬掩模层。
本发明授权SONOS闪存器件选择管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SONOS闪存器件选择管的制造方法，其特征在于，所述SONOS闪存器件选择管的制造方法包括以下步骤： 提供带有控制栅结构的半导体衬底，相邻两个所述控制栅结构相间隔，每个所述控制栅结构包括控制栅多晶硅层、形成于所述控制栅多晶硅层与半导体衬底之间的ONO层和位于控制栅多晶硅层上面形成氧化硅硬掩模层和氮化硅硬掩模层，外露的半导体衬底上形成有栅氧化层； 在所述控制栅结构的左右两侧形成氮化硅隔离层； 沉积多晶硅，所述多晶硅覆盖在带有氮化硅隔离层的控制栅结构表面、填充在相邻控制栅结构之间的间隔中和覆盖在半导体衬底上； 沉积多晶硅侧墙硬掩模层，所述多晶硅侧墙硬掩模层基于所述多晶硅的表面形貌覆盖在所述多晶硅的上表面； 对所述多晶硅侧墙硬掩模层和所述多晶硅进行一体刻蚀，保留所述覆盖在控制栅结构侧面形貌为竖直区多晶硅； 去除剩余的多晶硅侧墙硬掩模层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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