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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种MPCVD高NV色心强度的金刚石薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119372619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411546568.3，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权一种MPCVD高NV色心强度的金刚石薄膜制备方法是由刘源;徐锋;赵文轩;严越;左敦稳设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MPCVD高NV色心强度的金刚石薄膜制备方法在说明书摘要公布了：一种MPCVD高NV色心强度的金刚石薄膜制备方法，其特征是通过MPCVD在衬底上沉积掺氮微米金刚石薄膜，使用反应离子刻蚀技术在金刚石薄膜进行表面修饰，为高NV色心强度提高结构条件，并通过高温退火使空位充分扩散，从而制备出高NV色心强度的金刚石薄膜。本发明解决了MPCVD法制备NV色心金刚石薄膜色心强度低、光学性能差的问题，提高了MPCVD金刚石薄膜NV色心荧光强度和色心应用价值。

本发明授权一种MPCVD高NV色心强度的金刚石薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MPCVD高NV色心强度的金刚石薄膜制备方法，其特征是：它包括以下步骤： 步骤一，使用硅溶胶溶液磨抛衬底至少30 min，去除衬底表面氧化层； 步骤二，将衬底放置于金刚石微粉丙酮悬浊液中进行超声震荡处理，衬底与金刚石微粉间的刮擦作用使衬底表面出现大量的微观缺陷，同时植晶，然后在无水乙醇中超声清洗5～10 min； 步骤三，将处理完成的衬底放置于MPCVD设备内进行掺氮微米金刚石薄膜的生长； 步骤四，使用MPCVD设备，利用反应离子刻蚀技术RIE对制备得到的掺氮微米金刚石薄膜进行表面修饰，为提高NV色心强度提供结构条件，待刻蚀完成后，将其置于无水乙醇中超声清洗5～10 min； 步骤五，将上述步骤得到的样品放置于马弗炉中高温真空退火2 h±15 min，使空位充分扩散，得到高NV色心强度的金刚石薄膜材料; 所述的衬底超声植晶所使用的的金刚石微粉粒度为0.2～1 μm，配比浓度为3～6 g金刚石微粉100 ml丙酮，植晶时间30～60 min；采用压缩氮气吹干衬底表面，以备后续使用； 所述的MPCVD制备的掺氮微米金刚石薄膜沉积参数为：真空反应室内本底真空度达到1 Pa以下，以保证反应气体纯度，通入气体CH4H2N2，气体总通量为200 sccm，CH4 通量占比为5%，H2 通量占比为94.5%～93%，N2 通量占比为0.5%～2%，沉积温度为850～900℃，反应气压12 kPa,微波功率15 kW，沉积初始阶段开启基体偏压‑120～‑200 V，偏压开启时间不少于30 min，以提高形核率; 所述的MPCVD设备对掺氮微米金刚石薄膜进行反应离子刻蚀表面修饰：真空反应室内本底真空抽至1 Pa以下；微波源功率为800 W；反应气体为H2和Ar，H2的气体流量为20～40 sccm，Ar的气体流量为10～30 sccm，反应气压1.2～1.8 kPa，衬底偏压为‑120～‑200 V，刻蚀时间1 h±5 min; 所述的马弗炉中高温真空退火参数为：将衬底放置在坩埚内，将坩埚放入马弗炉，抽真空至5×10‑3 Pa，加热温度到600～700 ℃。

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