乌镇实验室万舜获国家专利权
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龙图腾网获悉乌镇实验室申请的专利一种CuAgSe基热电半导体晶体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119372786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411963310.3，技术领域涉及：H10N10/852；该发明授权一种CuAgSe基热电半导体晶体及其制备方法是由万舜;白旭东;魏天然;金敏;赵琨鹏;金涵设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CuAgSe基热电半导体晶体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及热电半导体材料技术领域，公开了一种CuAgSe基热电半导体晶体及其制备方法，该材料以单质Cu、单质Ag和单质Se为原料经过熔融处理和布里奇曼生长法制成；该材料与加压烧结法制成的CuAgSe基热电半导体晶体相比，电导率高、泽贝克系数略低、热导率相当，热电优值高，热电性能高；该方法通过控制降温梯度和多晶材料在降温梯度中的移动速率使晶体生长的单一取向性高的CuAgSe晶体，该方法通过控制降温梯度可显著降低晶体中第二相的含量，能够直接获得单一取向性高的CuAgSe晶体且无需对第二相进行剔除加工，CuAgSe多晶原料的利用率显著提高。
本发明授权一种CuAgSe基热电半导体晶体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CuAgSe基热电半导体晶体的制备方法，其特征是，包括以下步骤： 步骤一：将单质Cu、单质Ag和单质Se装入坩埚中真空密封，再将密封坩埚进行熔融处理制成CuAgSe多晶原料，熔融处理的熔融温度为950~1100 ℃，熔融处理的升温速率2~10 ℃min； 步骤二：将CuAgSe多晶原料置于坩埚中真空密封，将密封后的坩埚置于布里奇曼生长装置中依次进行高温熔融、梯度降温生长和低温保温制成CuAgSe基热电半导体晶体；梯度降温生长的条件为：降温梯度为15~25 ℃cm，多晶材料在降温梯度中的移动速率为1.3~1.5 mmh；所述CuAgSe基热电半导体晶体的直径为10~80 mm，长度为10~100 mm；所述坩埚为双层坩埚，坩埚底部为圆锥状，圆锥状的锥度为17~54 °，坩埚的直径为10~80 mm，坩埚的长度为20~40 cm，高温熔融的温度为950~1100 ℃。
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