乌镇实验室白旭东获国家专利权
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龙图腾网获悉乌镇实验室申请的专利一种大尺寸CoSbS基热电半导体晶体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119372787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411963312.2，技术领域涉及：H10N10/852；该发明授权一种大尺寸CoSbS基热电半导体晶体及其制备方法是由白旭东;万舜;魏天然;金敏;赵琨鹏;金涵设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大尺寸CoSbS基热电半导体晶体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及热电半导体材料技术领域，公开了一种大尺寸CoSbS基热电半导体晶体的制备方法，大尺寸CoSbS基热电半导体晶体采用CoSbS多晶原料进行垂直下降熔融生长法制成，CoSbS多晶原料采用单质Co颗粒、单质Sb颗粒以及单质S颗粒在650~750℃下摇摆熔融制成，摇摆熔融时将单质S颗粒置于单质Co颗粒和单质Sb颗粒的下层；该热电半导体晶体电导率优异，此外，该方法制备的热电半导体晶体尺寸大，工艺简单，还能够显著降低CoSbS多晶原料中硫元素损失率。
本发明授权一种大尺寸CoSbS基热电半导体晶体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸CoSbS基热电半导体晶体的制备方法，其特征是，包括以下步骤： 步骤一：将单质S颗粒置于坩埚底层，再将单质Co颗粒和单质Sb颗粒叠放至单质S颗粒上层，真空密封坩埚再进行摇摆熔融制成CoSbS多晶原料，摇摆熔融的熔融温度为650~750 ℃； 步骤二：将CoSbS多晶原料置于坩埚内真空密封，将坩埚置于垂直晶体生长装置中，先将坩埚置于熔融区进行熔融制成熔体，再将坩埚置于降温结晶区移动进行梯度降温结晶，最后将坩埚进行退火制成大尺寸CoSbS基热电半导体晶体。
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