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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利半浮栅结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411547752.X，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半浮栅结构的形成方法是由刘少雄;王正宇;刘郑红;钱凯设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半浮栅结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半浮栅结构的形成方法，包括：步骤1提供一半导体结构，包括衬底、栅极层叠结构、第一氧化层及介质层；步骤2于半导体结构的表面形成第三多晶硅层；步骤3刻蚀第三多晶硅层直至露出介质层以形成第一开口；步骤4于通过步骤3形成的半导体结构的表面形成SOC层；步骤5于SOC层的表面形成SiARC层；步骤6刻蚀SiARC层及其下方的SOC层直至露出介质层以形成第二开口；步骤7去除SiARC层；步骤8沿着第二开口刻蚀介质层、第一氧化层、第二多晶硅层、栅间介质层及第一多晶硅层；步骤9去除SOC层；步骤10刻蚀去除露出的介质层。通过本发明解决了现有的去除SiARC层时易有残留且衬底易受损伤的问题。

本发明授权半浮栅结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半浮栅结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤1提供一半导体结构，其包括分为栅极区及有源区的衬底、形成于所述栅极区的衬底上的栅极层叠结构、形成于所述栅极层叠结构侧壁、表面与所述有源区的第一氧化层、形成于所述第一氧化层表面的介质层，所述介质层由第一氧化层隔离同样位于栅极层叠结构侧壁、表面及有源区上；其中，所述栅极层叠结构包括由下至上层叠的第一多晶硅层、栅间介质层及第二多晶硅层； 步骤2于所述半导体结构的表面形成第三多晶硅层； 步骤3刻蚀形成于所述第二多晶硅层上方的所述第三多晶硅层直至露出所述介质层以形成第一开口，并去除形成于所述有源区的所述第三多晶硅层，其中，所述第一开口的宽度小于所述栅极层叠结构的宽度，且所述第一开口两侧的所述第三多晶硅层覆盖所述栅极层叠结构的两侧壁； 步骤4于通过步骤3形成的半导体结构的表面形成SOC层，其中，所述SOC层填满所述第一开口并延伸至所述第三多晶硅层的上方； 步骤5于所述SOC层的表面形成SiARC层； 步骤6刻蚀所述SiARC层及其下方的SOC层直至露出所述介质层以形成第二开口，其中，刻蚀的所述SOC层为填充于所述第一开口内的所述SOC层，且形成的所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度； 步骤7去除所述SiARC层； 步骤8沿着所述第二开口刻蚀所述介质层、所述第一氧化层、所述第二多晶硅层、所述栅间介质层及所述第一多晶硅层； 步骤9去除所述SOC层以露出被其覆盖的所述介质层； 步骤10刻蚀去除露出的所述介质层。

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