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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411531017.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体器件的制备方法是由王宽;郭飞;吴阳阳;陈伟;成志杰;袁俊设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供外延片，包括半导体衬底以及位于半导体衬底上表面的外延层；在外延层的上表面形成具有第1通孔的第1掩膜层；在具有第i通孔的第i掩膜层表面上形成具有第i+1通孔的第i+1掩膜层；基于第i+1通孔对外延层进行刻蚀，在外延层的上表面内形成第i级沟槽，以在外延层的上表面内依次形成M级沟槽结构的第1级沟槽至第M级沟槽；形成第i级沟槽前，第i+1掩膜层覆盖第i掩膜层的顶部，且覆盖第i通孔的侧壁以及底部；第1通孔至第M+1通孔的孔径依次减小；基于第1掩膜层至第M+1掩膜层中的至少一者形成自对准离子注入窗口，进行自对准离子注入，在M级沟槽结构的表面内形成离子注入区。

本发明授权一种半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供外延片，所述外延片包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上表面的外延层； 在所述外延层的上表面形成具有第1通孔的第1掩膜层； 在具有第i通孔的第i掩膜层表面上形成具有第i+1通孔的第i+1掩膜层； 基于第i+1通孔对所述外延层进行刻蚀，在所述外延层的上表面内形成第i级沟槽，以在所述外延层的上表面内依次形成M级沟槽结构的第1级沟槽至第M级沟槽；其中，M为大于1的正整数；形成第i级沟槽前，第i+1掩膜层覆盖第i掩膜层的顶部，且覆盖第i通孔的侧壁以及底部，i为不大于M的正整数；第1通孔至第M+1通孔的孔径依次减小，第1级沟槽至第M级沟槽的宽度依次降低； 基于第1掩膜层至第M+1掩膜层中的至少一者形成自对准离子注入窗口，进行自对准离子注入，在所述M级沟槽结构的表面内形成离子注入区； 其中，基于第M+1通孔在所述外延层的上表内形成第M级沟槽结构后，第2掩膜层至第M+1掩膜层的顶部与第1掩膜层的上表面齐平；第1级沟槽至第M‑1级沟槽中，第a级沟槽的侧壁覆盖有第a+2掩膜层，a为不大于M‑1的正整数； 其中，第i掩膜层与第i+1掩膜层具有湿法腐蚀选择比； 在所述M级沟槽结构的表面内形成所述离子注入区的方法包括： 基于所述湿法腐蚀选择比，去除第j掩膜层，保留其他掩膜层，以露出第j‑1级沟槽的开口四周区域；j为大于1且不大于M+1的正整数； 以第j‑1掩膜层与第j+1掩膜层之间的间隙为所述自对准离子注入窗口，进行自对准离子注入，在第j‑1级沟槽的侧壁表面内以及第M级沟槽的底部表面内分别形成离子注入区。

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