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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利套刻精度量测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119472182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411464868.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻精度量测方法是由张旭;郭晓波;张聪设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本套刻精度量测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种套刻精度量测方法，包括：步骤一、提供已经形成了前层套刻标记的底层结构。步骤二、定义出大于前层套刻标记区域的台阶区域。步骤三、进行刻蚀在台阶区域形成由第一台阶环绕而成的平台结构。步骤四、涂布第一光刻胶层，第一光刻胶层在平台结构的顶部表面上具有第一厚度，在第一台阶周侧区域的顶部表面上具有较大的第二厚度，第二厚度为目标厚度。步骤五、在台阶区域中第一光刻胶层中形成当前层套刻标记，利用第一厚度较小的特征，减少图形应力不对称所产生的图形不对称，提高当前层套刻标记的图形的对称性。步骤六、进行测量得到套刻精度。本发明能消除厚膜对套刻精度测量的不利影响，能有效监控线上产品质量并提高良率。

本发明授权套刻精度量测方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻精度量测方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供底层结构，所述底层结构上已经形成了前层套刻标记； 步骤二、定义出台阶区域，所述台阶区域大于前层套刻标记区域且所述前层套刻标记区域位于所述台阶区域内部； 步骤三、进行刻蚀在所述台阶区域形成平台结构，所述平台结构的周侧由第一台阶环绕而成； 步骤四、涂布第一光刻胶层，在所述平台结构的顶部表面上所述第一光刻胶层具有第一厚度，在所述平台结构的所述第一台阶周侧区域的顶部表面上所述第一光刻胶层具有第二厚度，所述第二厚度为所述第一光刻胶层在所述涂布中所需要达到的目标厚度；所述第一厚度小于所述第二厚度； 步骤五、在所述台阶区域的所述第一光刻胶层中形成当前层套刻标记； 在形成所述当前层套刻标记过程中，利用所述第一厚度较小的特征，减少图形应力不对称所产生的图形不对称，提高所述当前层套刻标记的图形的对称性； 步骤六、通过测量所述当前层套刻标记和所述前层套刻标记的偏移得到套刻精度。

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