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龙图腾网获悉江苏韦达半导体有限公司申请的专利一种多功能保护器件及其制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497403B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411459941.1，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种多功能保护器件及其制作工艺是由张兴杰;程万坡;王荣元;钦彪设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多功能保护器件及其制作工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多功能保护器件及其制作工艺，属于保护器件技术领域，在P型单晶硅片上生长一层二氧化硅层，在P型单晶硅片正面光刻出硼离子注入窗口，P型单晶硅片正面通过离子注入方式掺杂一层淡硼层，并通过高温扩散，使淡硼层进行再分布，在P型单晶硅片正面和背面光刻出淡磷注入窗口，对P型单晶硅片正面和背面进行离子注入磷层，并通过高温扩散，使磷层进行在分布，在P型单晶硅片正面光刻出浓硼扩散区窗口，对正面进行浓硼扩散，在P型单晶硅片正面和背面光刻出浓磷层扩散窗口，对双面进行浓磷层扩散，在P型单晶硅片正面光刻出沟槽腐蚀窗口，进行硅腐蚀，形成内沟槽台面结构，在P型单晶硅片正和背面进行金属化处理构建金属层。

本发明授权一种多功能保护器件及其制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种多功能保护器件制作工艺，其特征在于：包括如下步骤： 步骤一：在P型单晶硅片1上通过热氧化方式在P型单晶硅片1正面和背面生长一层二氧化硅层2； 步骤二：在P型单晶硅片1正面光刻出硼离子注入窗口3； 步骤三：P型单晶硅片1正面通过离子注入方式掺杂一层淡硼层4，并通过高温扩散，使淡硼层4进行再分布，同时表面生长一层二氧化硅层2，作为后续扩散的掩蔽层； 步骤四：在P型单晶硅片1正面和背面光刻出淡磷注入窗口5； 步骤五：对P型单晶硅片1正面和背面进行离子注入磷层6，并通过高温扩散，使磷层6进行在分布，同时表面生长一层二氧化硅层2，作为后续扩散的掩蔽层； 步骤六：P型单晶硅片1正面光刻出浓硼扩散区窗口8； 步骤七：对P型单晶硅片1正面进行浓硼层9扩散，同时表面生长一层二氧化硅层2，作为后续扩散的掩蔽层； 步骤八：P型单晶硅片1正面和背面光刻出浓磷区窗口10； 步骤九：对P型单晶硅片1正面和背面进行浓磷层11扩散，同时表面生长一层二氧化硅层2，作为后续的掩蔽层； 步骤十：在P型单晶硅片1正面光刻出沟槽腐蚀窗口12； 步骤十一：在P型单晶硅片1正面沟槽腐蚀窗口处进行硅腐蚀，形成内沟槽台面13结构； 步骤十二：在P型单晶硅片1正面形成的内沟槽台面13内填充一层玻璃层作为PN结保护钝化层14； 步骤十三：通过LPCVD在P型单晶硅片1正面沉积一层二氧化硅层2； 步骤十四：在P型单晶硅片1的正面和背面光刻出触发管和稳压管的引线窗口15，同时在边缘开出划片槽； 步骤十五：在P型单晶硅片1正和背面进行金属化处理构建金属层； 步骤十六：在P型单晶硅片1正面光刻出电极引线焊接区17； 步骤十七：真空下进行合金，使金属层与硅形成欧姆接触，从而保护器件制作完成。

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