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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于SRAM存算的时间域多通道真卷积电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119597237B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411740519.3，技术领域涉及：G06F7/544；该发明授权基于SRAM存算的时间域多通道真卷积电路是由冯立琛;吴明俊;朱樟明;单宏伟;吴林设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SRAM存算的时间域多通道真卷积电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于SRAM存算的时间域多通道真卷积电路，包括：数字信号延时阵列用于将时间模式信号延迟固定时间产生M‑1个时间模式延迟信号；N个电流舵型乘加器，每个电流舵型乘加器包括电荷共享型加法器、SRAM阵列和M个电流舵型乘法器；SRAM阵列用于存储权重数据和符号位数据；每个电流舵型乘法器用于在符号位数据选择下，对时间模式信号时间模式延迟信号和权重数据进行乘法运算输出电容充放电后电容两端电压差值；电荷共享型加法器用于对电容两端电压差值进行加法运算输出电容电荷共享结果；温度计码模数转换器用于将电荷共享结果进行模数转换得到N个温度计码脉冲。本发明实现了卷积中乘加操作的高可靠性和高能效计算。

本发明授权基于SRAM存算的时间域多通道真卷积电路在权利要求书中公布了：1.一种基于SRAM存算的时间域多通道真卷积电路，其特征在于，所述时间域多通道真卷积电路包括： 内部时序生成电路，用于生成量化使能信号、乘加运算使能信号和数字延时使能信号； 数字信号延时阵列，用于根据所述数字延时使能信号将时间模式信号延迟固定时间产生M‑1个时间模式延迟信号； N个通道的电流舵型乘加器，每个通道的电流舵型乘加器包括M个电流舵型乘法器、一个电荷共享型加法器和一个SRAM阵列；所述SRAM阵列，用于存储权重数据和符号位数据，所述权重数据用于控制电流舵产生电流的大小，所述符号位数据用于控制电流舵的方向；每个电流舵型乘法器，用于在所述符号位数据的选择控制下，对所述时间模式信号时间模式延迟信号和所述权重数据进行乘法运算以输出对应电容充放电后电容两端电压差值，所述时间模式信号和M‑1个时间模式延迟信号用于控制M个电流舵型乘法器中电容的充放电时间；所述电荷共享型加法器，用于在所述乘加运算使能信号的控制下，对M个电流舵型乘法器输出的电容两端电压差值进行加法运算以输出对应电容电荷共享结果； 温度计码模数转换器，用于在所述量化使能信号的控制下，对N个电容电荷共享结果分别按照温度计逻辑进行模数转换得到N个温度计码脉冲。

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