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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种沟槽MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604005B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411800525.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种沟槽MOSFET器件及其制备方法是由陈伟;郭飞;王宽;袁俊;成志杰;吴阳阳设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种沟槽MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该MOSFET器件包括：衬底、外延层、阱区层和MOSFET结构，阱区层沿背离外延层的方向掺杂浓度变小，MOSFET结构包括源区、沟槽栅极、源极、漏极和第一载流子通道。沟槽栅极包括位于外延层内的沟槽，以及位于沟槽内的栅极，栅极与沟槽之间填充栅极介质层。由此可见，对于该MOSFET器件而言，其阱区层的掺杂浓度沿背离外延层的方向变小，该阱区层中掺杂浓度高的区域可以形成良好的屏蔽效果，掺杂浓度低的区域可以保证器件的导通特性，继而可以在形成良好屏蔽效果的同时，不影响器件的导通特性，有效解决在高漏极电压下栅极介质层迅速被击穿的问题。

本发明授权一种沟槽MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，所述外延层位于所述衬底表面； 阱区层，所述阱区层位于所述外延层背离所述衬底的一侧，所述阱区层沿背离所述外延层的方向掺杂浓度变小； 至少一个MOSFET结构，所述MOSFET结构包括源区、沟槽栅极、源极和漏极，所述沟槽栅极包括位于所述阱区层背离所述外延层一侧的沟槽，位于所述沟槽内的栅极，以及填充所述沟槽并覆盖所述栅极的层间介质层，所述栅极和所述沟槽之间还填充栅极介质层；所述源区位于所述阱区层背离所述外延层的一侧，包围所述沟槽，所述源极位于所述源区背离所述外延层的一侧，所述漏极位于所述衬底背离所述外延层的一侧； 所述MOSFET结构还包括第一载流子通道，所述第一载流子通道位于所述沟槽栅极与所述外延层之间，且所述第一载流子通道的一端与所述沟槽相接，另一端与所述外延层相接； 所述阱区层包括沿第一方向排布的第一阱区和第二阱区，所述第一方向由所述外延层指向所述阱区层，所述第二阱区的掺杂浓度小于所述第一阱区的掺杂浓度，所述沟槽位于所述第二阱区内。

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