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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种应用于使能端口的滤波整形电路、低压差稳压器及电源管理单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119645188B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411812064.1，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种应用于使能端口的滤波整形电路、低压差稳压器及电源管理单元是由丁子翔;陈凯华;张伟;刘根芳;姚和平;苏海伟设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于使能端口的滤波整形电路、低压差稳压器及电源管理单元在说明书摘要公布了：本发明提供一种应用于使能端口的滤波整形电路、低压差稳压器及电源管理单元，涉及集成电路设计技术领域，包括：第一反相器的输出端连接或非门的输入端、第二NMOS管的栅极并通过第二反相器连接与非门的输入端；第一NMOS管的栅极连接或非门的输出端，漏极通过栅压调节电路接入电源电压；第二NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极，第一PMOS管的源极和栅极分别接入电源电压和栅压调节电路；充放电器件的两端分别接入电源电压和第一PMOS管的漏极；第二PMOS管的栅极连接第一PMOS管的漏极，漏极分别连接第三NMOS管和第四NMOS管的漏极并通过第三反相器连接第三NMOS管的栅极；第三反相器的输出端分别连接或非门的输入端和与非门的输入端。有益效果是有效过滤毛刺信号。

本发明授权一种应用于使能端口的滤波整形电路、低压差稳压器及电源管理单元在权利要求书中公布了：1.一种应用于使能端口的滤波整形电路，其特征在于，包括： 第一反相器，所述第一反相器的输入端接入外部使能信号，输出端连接或非门的输入端，并通过第二反相器连接与非门的输入端； 第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极连接所述或非门的输出端，漏极通过栅压调节电路接入电源电压，源极接地； 第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端，源极接地，漏极连接第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的源极和栅极分别接入所述电源电压和所述栅压调节电路； 充放电器件，所述充放电器件的一端接入所述电源电压，另一端接入所述第一PMOS管的漏极； 第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的漏极，源极接入所述电源电压，漏极分别连接第三NMOS管和第四NMOS管的漏极，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的栅极接入所述栅压调节电路，所述第二PMOS管的漏极还通过第三反相器连接所述第三NMOS管的栅极； 所述第三反相器的输出端分别连接所述或非门的输入端和所述与非门的输入端，所述与非门的输出端连接使能端口。

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