晶科能源(上饶)有限公司;浙江晶科能源有限公司金井升获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(上饶)有限公司;浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411815445.5，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权太阳能电池和光伏组件是由金井升;刘长明;张昕宇设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件，太阳能电池包括：N型基底，位于第一表面的隔离结构、掺杂结构、第一钝化层以及多个第一电极，其中，掺杂结构包括第一P型掺杂发射极和第二P型掺杂发射极，第二P型掺杂发射极位于金属接触区域，隔离结构位于相邻两个第二P型掺杂发射极之间，隔离结构用于隔离第一电极和N型基底，第一P型掺杂发射极位于非金属接触区域，第一钝化层位于非金属接触区域的掺杂结构远离N型基底的一侧，第一电极位于隔离结构远离N型基底的一侧；位于第二表面的第二隧穿介质层、第二掺杂导电层、第二钝化层以及多个第二电极。该太阳能电池解决了现有技术中如何提升太阳能电池效率的技术问题。
本发明授权太阳能电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： N型基底，所述N型基底包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括金属接触区域和非金属接触区域； 位于所述第一表面的隔离结构、掺杂结构、第一钝化层以及多个第一电极，其中，所述掺杂结构包括第一P型掺杂发射极和第二P型掺杂发射极，所述第二P型掺杂发射极位于所述金属接触区域，所述隔离结构位于相邻两个所述第二P型掺杂发射极之间，所述隔离结构用于隔离所述第一电极和所述N型基底，所述第一P型掺杂发射极位于所述非金属接触区域，所述第一电极与所述第二P型掺杂发射极接触，所述第一钝化层位于所述非金属接触区域的所述掺杂结构远离所述N型基底的一侧，所述第一电极位于所述隔离结构远离所述N型基底的一侧，所述隔离结构在所述N型基底上的正投影为第一投影，所述第一电极在所述N型基底上的正投影为第二投影，所述第一投影位于所述第二投影中； 位于所述第二表面的第二隧穿介质层、第二掺杂导电层、第二钝化层以及多个第二电极。
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