中国科学技术大学李和廷获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利基于波荡器辐射产生圆偏振轴上高次谐波的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119697857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411607390.9，技术领域涉及：H05H7/04；该发明授权基于波荡器辐射产生圆偏振轴上高次谐波的方法及装置是由李和廷;杨南睿;赵周宇设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于波荡器辐射产生圆偏振轴上高次谐波的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于波荡器产生圆偏振辐射的轴上高次谐波的方法及装置，属同步辐射和波荡器领域。方法包括：步骤1，在圆偏振波荡器的磁块与电子束真空管之间设置多个电磁线圈，步骤2，在圆偏振波荡器工作时，向所有电磁线圈中通入相同大小电流，并使横向相邻的电磁线圈中电流极性不同，由各电磁线圈的电磁效应在圆偏振波荡器中心轴上产生周期性的附加磁场，能在轴上接收到高次谐波辐射。本发明能实现在轴上大幅增强可获得的圆偏振辐射高次谐波通量，并可以对某一特定阶次的高次谐波实现针对性增强，从而在不进行后续光束线改造的情况下，实现波荡器圆偏振辐射光子能量覆盖范围的大幅拓展，提高用户实验的效率和装置整体性能。
本发明授权基于波荡器辐射产生圆偏振轴上高次谐波的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于波荡器辐射产生圆偏振轴上高次谐波的方法，其特征在于，包括： 步骤1，在圆偏振波荡器的磁块与电子束真空管之间设置多个电磁线圈，各电磁线圈分别处于圆偏振波荡器的上磁块下表面与圆偏振波荡器的扁平真空管上表面之间以及圆偏振波荡器的下磁块上表面与圆偏振波荡器的扁平真空管上表面之间； 步骤2，在圆偏振波荡器工作时，向所有电磁线圈中通入相同大小电流，并使横向相邻的电磁线圈中电流极性不同，由各电磁线圈的电磁效应在圆偏振波荡器中心轴上产生一个对圆偏振波荡器磁场起调制作用的周期性的附加磁场，将圆偏振波荡器辐射的高次谐波通量变为轴上分布，能在轴上接收到高次谐波辐射。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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