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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利图像传感器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510099395.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器的制造方法是由张栋;范晓设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种图像传感器的制造方法。包括：在半导体衬底上形成第一光刻胶层，第一光刻胶层中形成逻辑区注入窗口，逻辑区从逻辑区注入窗口中外露；对带有第一光刻胶层的半导体衬底进行离子注入，在逻辑区多晶硅栅两侧的半导体衬底中形成逻辑区的源漏极；毯式淀积空间融合阻挡层，空间融合阻挡层覆盖在半导体衬底上，空间融合阻挡层填充部分像素区多晶硅栅之间的间隙形成融合结构；在半导体衬底上形成第二光刻胶层，第二光刻胶层中形成像素区注入窗口，像素区从像素区注入窗口中外露；对带有第二光刻胶层的半导体衬底进行离子注入，在未形成融合结构的像素区多晶硅栅之间的间隙中形成离子注入区。

本发明授权图像传感器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，所述图像传感器的制造方法包括以下步骤： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括像素区和逻辑区，所述像素区的半导体衬底上形成多个相间隔的像素区多晶硅栅，所述逻辑区的半导体衬底上形成多个相间隔的逻辑区多晶硅栅； 通过光刻工艺，在所述半导体衬底上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层中形成逻辑区注入窗口，所述逻辑区从所述逻辑区注入窗口中外露； 对带有所述第一光刻胶层的半导体衬底进行离子注入，在所述逻辑区多晶硅栅两侧的半导体衬底中形成逻辑区的源漏极； 毯式淀积空间融合阻挡层，所述空间融合阻挡层覆盖在所述半导体衬底上，所述空间融合阻挡层填充部分像素区多晶硅栅之间的间隙形成融合结构； 通过光刻工艺，在所述半导体衬底上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层中形成像素区注入窗口，所述像素区从所述像素区注入窗口中外露； 对带有所述第二光刻胶层的半导体衬底进行离子注入，在未形成融合结构的像素区多晶硅栅之间的间隙中形成离子注入区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。