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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利结合材料与器件测试分析技术的半导体器件物理建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119740545B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411781594.4，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权结合材料与器件测试分析技术的半导体器件物理建模方法是由蒋伟博;李园;马晓华;郑雪峰;赵元富;郝跃设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本结合材料与器件测试分析技术的半导体器件物理建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种结合材料与器件测试分析技术的半导体器件物理建模方法，包括：根据待进行物理建模的半导体器件的基本材料和结构，在半导体工艺模拟以及器件模拟工具软件中构建理想仿真模型；基于电特性测试与材料表征分析技术获取半导体器件的典型缺陷模型参数；将典型缺陷模型参数和相关物理过程模型添加至理想仿真模型，构建包含典型缺陷模型参数及相关物理过程的半导体器件模型，并将该模型与实际的器件电特性测试结果拟合一致，最终构建出反映实际半导体器件真实物理特性的模型。

本发明授权结合材料与器件测试分析技术的半导体器件物理建模方法在权利要求书中公布了：1.一种结合材料与器件测试分析技术的半导体器件物理建模方法，其特征在于，包括： 根据待进行物理建模的半导体器件的基本材料和结构，在半导体工艺模拟以及器件模拟工具软件中构建所述半导体器件的理想仿真模型；所述半导体器件包括：宽禁带半导体器件或超宽禁带半导体器件； 利用电特性测试与材料表征分析技术获取所述半导体器件的典型缺陷模型参数，所述典型缺陷模型参数包括：界面态缺陷能级Eit、界面态缺陷密度Dit、氧化层缺陷类型Type、氧化层缺陷能级Ebt、氧化层缺陷密度Nbt、氧化层与半导体导带带阶差φb、半导体材料缺陷类型Type、半导体材料缺陷能级Et以及半导体材料缺陷密度Nt； 根据所述理想仿真模型和所述典型缺陷模型参数，构建包含典型缺陷模型参数的半导体器件模型，并将与所述半导体器件及其典型缺陷相关的物理过程模型添加至该半导体器件模型，得到包含典型缺陷模型参数及相关物理过程的半导体器件模型；其中，所述物理过程模型包括：载流子统计分布模型、漂移扩散模型、迁移率模型以及产生复合模型； 将包含典型缺陷模型参数及相关物理过程的半导体器件模型与实际的器件电特性测试结果拟合一致，得到反应实际半导体器件真实物理特性的模型；所述器件电特性包括：输出特性、转移特性、栅极泄漏电流以及漏极泄漏电流。

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