华芯程(杭州)科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉华芯程(杭州)科技有限公司申请的专利光刻模型的校准方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120507945B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511015235.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻模型的校准方法、装置、电子设备及存储介质是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻模型的校准方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种光刻模型的校准方法、装置、电子设备及存储介质。该方案可以在掩模版上选取不同种类的标准图形及测试图形，以作为初始采样点，对光学模型中的参数进行调整，并根据调整后的光学模型对所述初始采样点进行光学模拟，得到模拟尺寸，将所述模拟尺寸与设计尺寸进行对比，根据对比结果对所述初始采样点进行筛选，以得到目标采样点，对所述目标采样点进行晶圆量测得到第一量测结果，并根据第一量测结果对所述光学模型和光刻胶模型进行校准。本申请实施例可以对采样点进行模拟并筛选，从而减少大量的无效采样点，缩短了采样点数据量测时间，同时提高了采样点质量和最终建模效率。
本发明授权光刻模型的校准方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光刻模型的校准方法，其特征在于，包括： 在掩模版上选取不同种类的标准图形及测试图形，以作为初始采样点； 对光学模型中的参数进行调整，所述对光学模型中的参数进行调整包括：通过调节焦点参数使所述光学模型对预设图形焦点对称；在所述初始采样点中选择与设计尺寸匹配的锚点图形；迭代调整所述光学模型的阈值参数，直至所述光学模型在锚点图形的模拟尺寸与晶圆实际量测尺寸的误差小于预设容差，使所述光学模型的模拟值与目标值一致； 根据调整后的光学模型对所述初始采样点进行光学模拟，得到模拟尺寸； 将所述模拟尺寸与设计尺寸进行对比，剔除所述模拟尺寸小于设计规则尺寸预设百分比的采样点；确定设计规则中未被初始采样点集覆盖的目标尺寸区间，以补充所述目标尺寸区间对应的采样点，得到目标采样点； 对所述目标采样点进行晶圆量测得到第一量测结果，并根据第一量测结果对所述光学模型和光刻胶模型进行校准。
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