甬矽半导体(宁波)有限公司何正鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利2.5D中介层露铜工艺和封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120527240B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511014854.X，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权2.5D中介层露铜工艺和封装结构是由何正鸿设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本2.5D中介层露铜工艺和封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供的一种2.5D中介层露铜工艺和封装结构。该2.5D中介层露铜工艺包括提供具有导电柱的中介层；中介层包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面和第二表面边缘分别设有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的深度为H1，第二凹槽的深度为H2，第一凹槽和第二凹槽的槽底之间的间距为H3。第二凹槽的槽底和第二端面齐平。研磨第二表面，以露出第二端面；研磨厚度为H2。从第二表面减薄中介层，以使导电柱的凸出高度为H3。之后再形成与导电柱电连接的电连部。这样，可以方便管控研磨厚度以及减薄厚度，确保所有导电柱的凸出高度一致，有利于提升后续布线精度，从而提高封装效率和封装质量。
本发明授权2.5D中介层露铜工艺和封装结构在权利要求书中公布了：1.一种2.5D中介层露铜工艺，其特征在于，包括： 提供具有导电柱的中介层；其中，所述导电柱的高度小于所述中介层的厚度；所述导电柱包括相对设置的第一端面和第二端面；所述中介层包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一端面和所述中介层的第一表面齐平，所述第二端面位于所述中介层内部； 所述第一表面边缘设有第一凹槽，所述第二表面边缘设有第二凹槽，所述第一凹槽的深度为H1，所述第二凹槽的深度为H2，所述第一凹槽和所述第二凹槽的槽底之间的间距为H3；所述第二凹槽的槽底和所述第二端面齐平； 在所述第一表面贴装第一载具； 研磨所述第二表面，以露出所述第二端面；研磨厚度为H2； 从所述第二表面减薄所述中介层，以使所述导电柱的第二端面凸出所述第二表面；凸出高度为H3； 在所述第二表面形成沉积层； 在所述沉积层上形成与所述导电柱电连接的电连部。
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