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龙图腾网获悉上海谙邦半导体设备有限公司申请的专利等离子体处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511014198.3，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权等离子体处理设备是由涂乐义;梁洁;桂智谦设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体处理设备在说明书摘要公布了：本公开涉及等离子体处理技术领域，提供等离子体处理设备包括：壳体，其内的第一腔室顶部形成第一进气口，底部覆设电荷过滤件；电荷过滤件形成透气孔组并接地；第一腔室对应设置有至少被施加射频电压以用于等离子化第一腔室内气体形成第一等离子体的感应线圈；第二腔室位于第一腔室下方，侧壁设有多个第二进气口；第二腔室内载体有第二射频电压与电荷过滤件之间构成电容组件，等离子化第二腔室内气体形成第二等离子体。由此，通过构造上下两层腔室以不同原理形成等离子体，并在第二腔室中侧壁的第二进气口可用于调节在第二腔室的不同侧向进气以调节混合的等离子体周向密度，良好集成两种等离子体处理设备优点且便于动态调节。

本发明授权等离子体处理设备在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括： 壳体，其内部空间形成连通的第一腔室和第二腔室； 所述第一腔室，顶部形成供通入气体的第一进气口，底部覆设形成透气孔组并接地的电荷过滤件；所述第一腔室对应设置有至少被施加射频电压以用于等离子化所述第一腔室内气体形成基于电感耦合的第一等离子体的感应线圈； 所述第二腔室，位于所述第一腔室下方；所述第二腔室的侧壁设有用于通入气体的多个第二进气口；所述第二腔室设有承载待加工物的载体；所述载体被施加有第二射频电压以与所述电荷过滤件之间构成电容组件，用于基于电容耦合等离子化所述第二腔室内气体并与穿过所述透气孔组进入第二腔室的第一等离子体混合形成第二等离子体； 第二光学检测装置，布置于所述电荷过滤件下表面的透气孔外部分，用于检测第二等离子体或待加工物周向上各区域的分布信息；所述第二光学检测装置包括多个第二光检测单元，避开透气孔地沿周向嵌设或可滑动地设于所述电荷过滤件的下表面，所述电荷过滤件及其相接的壳体部分内形成避开透气孔的走线通道，以使第二光学检测装置的电性线路从所述走线通道走设至外部以获得供电及通信； 其中，以所述第二等离子体周向上分布均匀性或待加工物周向表面反应处理速度均衡作为调节目标，用于各所述第二进气口之间的进气流量关系的调节。

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