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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种面向大栅宽氮化镓晶体管的小信号参数提取方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120562351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511062288.X，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权一种面向大栅宽氮化镓晶体管的小信号参数提取方法及系统是由毛书漫;张金娜;苏祥;徐跃杭设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种面向大栅宽氮化镓晶体管的小信号参数提取方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种面向大栅宽氮化镓晶体管的小信号参数提取方法及系统，应用于电路分析与半导体器件应用领域，包括：获取晶体管在低频冷夹断条件下的实测Y参数，以定义晶体管寄生电容的优化范围，并通过SQP算法对寄生电容进行优化；获取晶体管在冷无偏条件下的实测Y参数，并与得到的寄生电容结合进行寄生电容参数剥离，根据Z参数，分别提取晶体管寄生电感和寄生电阻；剥离得到的寄生电感和寄生电阻，并将Z参数转换为Y参数，利用分频段加权法进行本征跨导和输出电阻的初值提取；求取除本征跨导和输出电阻外的其余本征参数初值，并通过SQP算法对各个本征参数进行优化。本发明有效提高了大栅宽氮化镓晶体管的小信号参数提取精度与效率。

本发明授权一种面向大栅宽氮化镓晶体管的小信号参数提取方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种面向大栅宽氮化镓晶体管的小信号参数提取方法，其特征在于，包括： 步骤1：获取晶体管在低频冷夹断条件下的实测Y参数，以定义晶体管寄生电容的优化范围，并通过SQP算法对所述晶体管寄生电容进行优化； 步骤2：获取晶体管在冷无偏条件下的实测Y参数，并与步骤1中得到的晶体管寄生电容结合进行晶体管寄生电容参数剥离，根据剥离所述晶体管寄生电容后的Z参数，分别提取晶体管寄生电感和寄生电阻； 步骤3：剥离步骤2中得到的晶体管寄生电感和寄生电阻，并将剥离所述晶体管寄生电感和寄生电阻后的Z参数转换为Y参数，利用分频段加权法进行本征跨导和输出电阻的初值提取； 步骤4：求取除所述本征跨导和输出电阻外的其余本征参数初值，并通过所述SQP算法对各个本征参数进行优化； 步骤1中，通过SQP算法对所述晶体管寄生电容进行优化，具体为： 所述晶体管寄生电容的初始值均设置为所述优化范围的上边界的0.2倍；所述SQP算法的误差计算，如下： 其中，为误差；、为参数的端口指标，取值均为1或2，为输入反射系数，为反向传输系数，为正向传输系数，为输出反射系数；为仿真值；为实测值；为绝对值函数，用于计算参数的幅度值；为相位值函数，用于计算参数的相位值； 步骤3中，利用分频段加权法进行本征跨导和输出电阻的初值提取，如下： 其中，为频率点总数；为第个频率点处计算得到的目标参数值，即和的值；为第个频率点处计算得到的本征跨导；为第个频率点处计算得到的输出电阻；为第个频率点的加权因子，大小随频率的升高而递减，表达式，如下： 其中，为第个频率点的角频率；为最大频率点的角频率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学长三角研究院(湖州)，其通讯地址为：313001 浙江省湖州市吴兴区龙溪街道西塞山路819号南太湖科技创新综合体B1幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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