浙江金连接科技股份有限公司王经德获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江金连接科技股份有限公司申请的专利一种芯片测试探针用高导电率钯合金及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120575067B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511080506.2，技术领域涉及：C22C5/04；该发明授权一种芯片测试探针用高导电率钯合金及其制备方法是由王经德;曹镭;官世炎;王京松设计研发完成，并于2025-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片测试探针用高导电率钯合金及其制备方法在说明书摘要公布了：一种芯片测试探针用高导电率钯合金及其制备方法，以质量百分比计，钯合金包括50‑58%Pd、35‑40%Cu、5‑10%Ag、0.05‑1.0%Cr及0.1‑1.5%辅助元素；辅助元素选自Al、Zn、In、Si中至少一种；钯合金的电阻率在8.0μΩ·cm以下，维氏硬度在450HV以上、90°折弯次数在8次以上、抗拉强度在1500MPa以上、延伸率在6%以上，钯合金经过预熔炼和二次熔炼，包括将原料中的至少部分Cu和至少部分Cr混合预熔炼，得到铜铬中间合金；将所述铜铬中间合金与剩余原料混合后进行二次熔炼。本发明的钯合金能够同时满足各种形态探针对低电阻、高塑韧性、耐疲劳性及力学强度等的迫切需求。
本发明授权一种芯片测试探针用高导电率钯合金及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片测试探针用高导电率钯合金，其特征在于，以质量百分比计，所述钯合金包括50‑58% Pd、35‑40% Cu、5‑10% Ag、0.05‑1.0% Cr以及0.1‑1.5%辅助元素； 所述辅助元素选自Al、Zn、In、Si中的至少一种； 钯合金的电阻率在8.0μΩ·cm以下，维氏硬度在450HV以上、90°折弯次数在8次以上、抗拉强度在1500MPa以上、延伸率在6%以上； 其中，所述钯合金经过预熔炼和二次熔炼，包括以下步骤： 将原料中的至少部分Cu和至少部分Cr混合预熔炼，得到铜铬中间合金； 将所述铜铬中间合金与剩余原料混合后进行二次熔炼。
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