西安交通大学李早阳获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利液相法生长碳化硅晶体的生长炉的设计方法和生长炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120581121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511072552.8，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权液相法生长碳化硅晶体的生长炉的设计方法和生长炉是由李早阳;祁冲冲;王全志;杨垚;王君岚;罗金平;刘立军设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本液相法生长碳化硅晶体的生长炉的设计方法和生长炉在说明书摘要公布了：本发明提供了一种液相法生长碳化硅晶体的生长炉的设计方法和生长炉，涉及晶体生长技术领域，本发明实施例通过获取生长炉的坩埚中熔体的温度分布和熔体的流动方向；在温度分布指示在从熔体的底部到熔体的顶部所在方向上熔体的温度逐渐升高，和或流动方向指示熔体从碳化硅晶体的边缘向碳化硅晶体的中心流动的情况下，禁用生长炉的侧加热器；在侧加热器和底加热器之间的空隙处设置隔热部件，隔热部件用于阻挡坩埚通过空隙散热。本发明实施例不仅可以提高碳化硅晶体的生长速率，还有利于提高碳化硅晶体生长过程的稳定性，减少晶体内部缺陷的产生，进而提高碳化硅晶体的晶体质量。
本发明授权液相法生长碳化硅晶体的生长炉的设计方法和生长炉在权利要求书中公布了：1.一种液相法生长碳化硅晶体的生长炉的设计方法，其特征在于，所述方法包括： 获取生长炉的坩埚中熔体的温度分布和所述熔体的流动方向； 在所述温度分布指示在从所述熔体的底部到所述熔体的顶部所在方向上所述熔体的温度逐渐升高，和或所述流动方向指示所述熔体从碳化硅晶体的边缘向所述碳化硅晶体的中心流动的情况下，禁用所述生长炉的侧加热器；所述生长炉包括设置于所述坩埚侧部的所述侧加热器和设置于所述坩埚底部的底加热器，所述侧加热器和所述底加热器在所述坩埚的底部拐角区域形成空隙；所述碳化硅晶体为基于所述熔体生长得到的晶体； 在所述侧加热器和所述底加热器之间的空隙处设置隔热部件，以使所述温度分布指示在从所述熔体的底部到所述熔体的顶部所在方向上所述熔体的温度逐渐降低，并且所述流动方向指示所述熔体从碳化硅晶体的中心向所述碳化硅晶体的边缘流动；所述隔热部件用于阻挡所述坩埚通过所述空隙散热。
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