西北工业大学张洵颖获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种基于多级校准的MOSFET器件建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120611686B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511113729.4，技术领域涉及：G06F30/39；该发明授权一种基于多级校准的MOSFET器件建模方法是由张洵颖;杨帆;赵晓冬;李臻;崔媛媛;张海金设计研发完成，并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于多级校准的MOSFET器件建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于多级校准的MOSFET器件建模方法，涉及半导体器件建模技术领域，用于解决现有MOSFET器件建模导致工艺波动下器件‑电路性能的系统性偏差过大的技术问题；本发明的基于多级校准的MOSFET器件建模方法，包括：建立MOSFET器件的初始模型；进行器件级电学特性校准；基于初始模型重构包含金属互连层、接触孔阵列及阱区的三维几何结构，通过提取分布式寄生参数后作为边界条件嵌入初始模型，生成包含真实寄生效应的电路级仿真实体；通过迭代调整接触，匹配反相器的上升下降时间及传播延迟；在电路动态性能与实测数据的偏差超过阈值时触发反向回溯流程，逆向调整寄生节点参数或器件对应的初始模型；在该偏差小于或等于阈值时，完成MOSFET器件建模。
本发明授权一种基于多级校准的MOSFET器件建模方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多级校准的MOSFET器件建模方法，其特征在于，包括： 基于工艺设计套件提供的几何参数建立MOSFET器件的初始模型； 根据MOSFET器件的电路仿真模型的电流‑电压和电容‑电压特性曲线调整初始模型的参数，完成器件级电学特性校准； 基于所述初始模型重构包含金属互连层、接触孔阵列及阱区的三维几何结构，通过提取分布式寄生参数后作为边界条件嵌入初始模型，生成包含真实寄生效应的电路级仿真实体；通过迭代调整接触，匹配反相器的上升下降时间及传播延迟； 建立闭环迭代机制，设定阈值，在电路动态性能与实测数据的偏差超过所述阈值时触发反向回溯流程，逆向调整寄生节点参数或器件对应的初始模型；在该偏差小于或等于阈值时，完成MOSFET器件建模。
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