拓荆科技(上海)有限公司孙少东获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利一种CVD反应腔及半导体设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223397802U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422549265.9，技术领域涉及：C23C16/52；该实用新型一种CVD反应腔及半导体设备是由孙少东设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CVD反应腔及半导体设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种CVD反应腔及半导体设备，CVD反应腔包括腔室、抽真空组件、导流组件以及流阻组件，导流组件设置在腔室内的底部，流阻组件设置在导流组件与腔室底部之间，抽真空组件设置在腔室外，其能够通过腔室的底部对腔室抽真空；其中，流阻组件用于在抽真空组件工作时，调整导流组件以上的腔室内的气流场。采用上述结构，当真空泵工作，管道通过真空孔抽取气体时，瓷挡板或者导流板的设置能够避免真空孔处气体不均匀，与此同时，流阻组件还能够调整导流组件以上的腔室内的气流场，调整抽真空时的流阻，打破原有的流道流阻状态，进而对气流场进行细微调整，使得同一套CVD反应腔能够满足不同的产品要求和工艺要求。
本实用新型一种CVD反应腔及半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种CVD反应腔，其特征在于，所述CVD反应腔包括腔室、抽真空组件、导流组件以及流阻组件，所述导流组件设置在所述腔室内的底部，所述流阻组件设置在所述导流组件与所述腔室底部之间，所述抽真空组件设置在所述腔室外，其能够通过所述腔室的底部对所述腔室抽真空；其中，所述流阻组件用于在所述抽真空组件工作时，调整所述导流组件以上的腔室内的气流场。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆科技(上海)有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢304室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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