湖南泰坦未来科技有限公司王子威获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南泰坦未来科技有限公司申请的专利一种批量生长碳化硅单晶的生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223397842U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422811407.4，技术领域涉及：C30B23/00；该实用新型一种批量生长碳化硅单晶的生长装置是由王子威;孙威;曾玉林;彭炳成;张月恒设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种批量生长碳化硅单晶的生长装置在说明书摘要公布了：本实用新型属于碳化硅单晶生长技术领域，尤其是一种批量生长碳化硅单晶的生长装置，包括加热炉，所述加热炉的加热腔内设置有升降台，所述升降台上均匀间隔设置有多个坩埚组件，所述坩埚组件包括坩埚主体，所述坩埚主体上侧设置有导流套，所述导流套上侧设置有圆环，所述坩埚主体顶部设置坩埚盖，所述坩埚盖下侧设置有籽晶，其特征在于，所述坩埚盖下侧、坩埚主体内侧以及导流套内侧都设置有钽箔；本申请可以在中频感应石墨化炉中同时生长多块小尺寸碳化硅单晶，避免了大尺寸单晶生长时纵向温度梯度过大的问题的同时降低了生产成本。
本实用新型一种批量生长碳化硅单晶的生长装置在权利要求书中公布了：1.一种批量生长碳化硅单晶的生长装置，包括加热炉，所述加热炉的加热腔内设置有升降台，所述升降台上均匀间隔设置有多个坩埚组件，所述坩埚组件包括坩埚主体，所述坩埚主体上侧设置有导流套，所述导流套上侧设置有圆环，所述坩埚主体顶部设置坩埚盖，所述坩埚盖下侧设置有籽晶，其特征在于，所述坩埚盖下侧、坩埚主体内侧以及导流套内侧都设置有钽箔。
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