德氪微电子(深圳)有限公司李成获国家专利权
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龙图腾网获悉德氪微电子(深圳)有限公司申请的专利封装内置变压器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223401469U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422778431.2，技术领域涉及：H01F27/32；该实用新型封装内置变压器是由李成;冯毅;张亚运设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装内置变压器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种封装内置变压器，涉及电子器件技术领域，其中封装内置变压器包括初级绕组、次级绕组和绝缘介质层，初级绕组包括第一线圈和第一绝缘封装体，第一线圈设于第一绝缘封装体内；次级绕组包括第二线圈和第二绝缘封装体，第二线圈设于第二绝缘封装体内；绝缘介质层设于初级绕组和次级绕组之间；封装框架与初级绕组或次级绕组远离绝缘介质层的一侧连接；封装框架与初级绕组或次级绕组电性连接。本申请提供的技术方案通过在初级绕组和次级绕组之间加入绝缘介质层，提高了封装内置变压器的耐压性能。其次，初级绕组和次级绕组可独立制造和预组装，便于生产多层绕组结构，根据需求搭配不同匝数比的绕组，缩短整体的加工周期。
本实用新型封装内置变压器在权利要求书中公布了：1.一种封装内置变压器，其特征在于，包括： 初级绕组，包括第一线圈和第一绝缘封装体，所述第一线圈设于所述第一绝缘封装体内； 次级绕组，包括第二线圈和第二绝缘封装体，所述第二线圈设于所述第二绝缘封装体内； 绝缘介质层，设于所述初级绕组和所述次级绕组之间； 封装框架，与所述初级绕组或所述次级绕组远离所述绝缘介质层的一侧连接；所述封装框架与所述初级绕组或所述次级绕组电性连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人德氪微电子(深圳)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市光明区玉塘街道田寮社区光侨路科瑞智造产业园瑞明大厦A1501；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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