拓荆科技(上海)有限公司田云龙获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利边缘环组件、工艺腔室及半导体器件的加工设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223401563U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422307907.4，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型边缘环组件、工艺腔室及半导体器件的加工设备是由田云龙;陈新益;柴雪;张凡;李晶设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本边缘环组件、工艺腔室及半导体器件的加工设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种边缘环组件、一种工艺腔室及一种半导体器件的加工设备。所述边缘环组件包括第一边缘环。所述第一边缘环放置于抽气环的边缘之上，并位于加热盘及喷淋盘之间，用于缩小所述加热盘与所述喷淋盘之间等离子体的边缘空间，和或减小所述边缘空间的电场畸变，以降低所述边缘空间的等离子体密度。所述加热盘用于承载并加热晶圆。所述抽气环环绕所述加热盘的外围。所述喷淋盘位于所述加热盘之上，用于向所述晶圆喷洒反应物。本实用新型可以通过设置多个具有倒角的边缘环，用于缩小加热盘与喷淋盘之间等离子体的边缘空间，和或减小边缘空间的电场畸变，以降低边缘空间的等离子体密度，从而改善晶圆表面沉积的薄膜的均匀性。
本实用新型边缘环组件、工艺腔室及半导体器件的加工设备在权利要求书中公布了：1.一种边缘环组件，其特征在于，包括： 第一边缘环，放置于抽气环的边缘之上，并位于加热盘及喷淋盘之间，用于缩小所述加热盘与所述喷淋盘之间等离子体的边缘空间，和或减小所述边缘空间的电场畸变，以降低所述边缘空间的等离子体密度，其中，所述加热盘用于承载并加热晶圆，所述抽气环环绕所述加热盘的外围，所述喷淋盘位于所述加热盘之上，用于向所述晶圆喷洒反应物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆科技(上海)有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢304室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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