甬矽半导体(宁波)有限公司简志宏获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利封装散热结构和半导体模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223401600U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422571180.0，技术领域涉及：H01L23/373；该实用新型封装散热结构和半导体模块是由简志宏;何正鸿;徐玉鹏设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装散热结构和半导体模块在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种封装散热结构和半导体模块，涉及半导体封装技术领域。封装散热结构包括基底、封装芯片、第一导热层、第二导热层和散热盖，封装芯片贴设在基底的一侧表面；第一导热层设置在封装芯片背离基底的一侧表面；第二导热层设置在封装芯片背离基底的一侧表面，并与第一导热层间隔设置；散热盖贴设在基底上，并罩设在封装芯片外；其中，散热盖同时与第一导热层和第二导热层接触，且第一导热层与第二导热层的热导率不同。相较于现有技术，本实用新型通过第一导热层和第二导热层实现散热盖与封装芯片之间的热量传导，导热效果更好，进而能够更快地实现散热，提升整体散热效果，同时能够实现芯片不同分区的导热，散热更加精准可靠。
本实用新型封装散热结构和半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种封装散热结构，其特征在于，包括： 基底； 封装芯片，所述封装芯片贴设在所述基底的一侧表面； 第一导热层，所述第一导热层设置在所述封装芯片背离所述基底的一侧表面； 第二导热层，所述第二导热层设置在所述封装芯片背离所述基底的一侧表面，并与所述第一导热层间隔设置； 散热盖，所述散热盖贴设在所述基底上，并罩设在所述封装芯片外； 其中，所述散热盖同时与所述第一导热层和所述第二导热层接触，且所述第一导热层与所述第二导热层的热导率不同。
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